| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>、SiH<sub>4</sub>构成的原料气体、和H<sub>2</sub>或由H<sub>2</sub>与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH<sub>3</sub>和SiH<sub>4</sub>的流量比(NH<sub>3</sub>/SiH<sub>4</sub>)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH<sub>3</sub>和SiH<sub>4</sub>的流量比(NH<sub>3</sub>/SiH<sub>4</sub>)为4以下进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101465296A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810178050.3 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 小田耕治;中川直纪;大野岳;内田祐介 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;刘春元 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜晶体管的制造方法，其中，具备：在衬底上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜的正上方形成氢化非晶硅膜的工序，所述栅极绝缘膜至少具备与所述氢化非晶硅膜接触的第一区域和与该第一区域相比位于下层的第二区域，所述第一区域以及第二区域使用由NH3、N2、SiH4构成的原料气体、和H2或由H2与He构成的气体形成，所述第一区域是以所述NH3与所述SiH4的流量比为11以上且14以下的方式形成的，所述第二区域是以所述NH3与所述SiH4的流量比为4以下的方式形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||