发明名称 光电半导体之封装构造
摘要 一种光电半导体之封装构造,具有高导热及一体成型之优点,且不易变形,增加封装之良率及品质,而使用发光二极体之晶片封装时,会易于达成电子晶片所需之封装需求,而且较知之封装构造为优良,主要系利用一体成型材料的方法来改善封装强度及导热构造防止光电晶片过热影响光电装置寿命。
申请公布号 TWM262841 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW093214068 申请日期 2004.09.03
申请人 宏齐科技股份有限公司 发明人 汪秉龙;庄峰辉;巫世裕;柯庆鸿;翁骏程
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种光电半导体之封装构造,其包含:壳体,具有导热本体及导脚,且该壳体为一体成型;光电半导体构造,以导热片材料设置于该导热本体内部一平面上;及透镜装置,为透光材料所构成。2.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中导热本体及导脚为电绝缘直接连接或以绝缘导脚套与导热本体连接;且其中光电半导体构造为具发光或光感测能力之半导体构造;又其中该透镜装置设于该导热本体之上,且面向该光电半导体。3.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该光电半导体构造具有含高分子封装胶之透光部分与通电接点,且该通电接点与该导热本体内部一平面上一基材相电通连接,该基材固定于该导热本体内部一平面上。4.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该光电半导体为发光二极体或光感测器。5.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中导热本体为高分子复合材料所构成,且具导热材料以连接该光电半导体构造之导热路径到导热本体的底面。6.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中导热本体为陶瓷材料所构成,且具导热材料以连接该光电半导体构造之导热路径到导热本体的底面。7.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该壳体为金属材质。8.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该光电半导体构造以打导电线连接该导脚。9.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该导热片材料为矽基导热胶或导热金属片。10.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该壳体为金属壳,导热本体为粉末射出,且绝缘导脚套包住导脚使导脚与导热本体电绝缘。11.如申请专利范围第3项所示之光电半导体之封装构造,其中基材为高分子材料材质,且该高分子材料之基板埋藏电阻或电感。12.如申请专利范围第1项所示之光电半导体之封装构造,其中该光电半导体构造之排列方式为均匀分布于导热本体内部一特定平面上。图式简单说明:第一图:为习知发光二极体封装构造之示意图;第二A图:为本创作实施例一上视构造之示意图;第二B图:为本创作实施例一前视剖面构造之示意图;第二C图:为本创作实施例一侧视构造之示意图;第三A图:为本创作实施例二上视构造之示意图;第三B图:为本创作实施例二前视剖面构造之示意图;第三C图:为本创作实施例二侧视构造之示意图;第四A图:为本创作实施例三上视构造之示意图;第四B图:为本创作实施例三前视剖面构造之示意图;及第四C图:为本创作实施例三侧视构造之示意图。
地址 新竹市中华路5段522巷18号