| 主权项 |
1.一种双变换方式接收机,其特征为具备有:天线调谐电路,系含有调谐线圈与变容二极体;高频放大电路,系对该天线调谐电路之输出信号遂行高频放大;第1与第2混合电路,系对该高频放大电路之输出作2次之频率数变换;及检波电路,系对该第2混合电路之输出作检波处理。2.如申请专利范围第1项之双变换方式接收机,其中该第1混合电路,系用以把该高频放大电路输出之信号的频率数,变换为比播送之频率数还高之频率数;而该第2混合电路,则系用以把该第1混合电路输出之信号的频率数,变换为比播送频率数还低之频率数者。3.如申请专利范围第1项之双变换方式接收机,其中该天线调谐电路中所含之该调谐线圈,系将导线卷绕于磁芯上之棒形天线者。4.如申请专利范围第1项之双变换方式接收机,其中该天线调谐电路中所含之该调谐线圈,系将导线卷绕成环状之环形天线者。5.如申请专利范围第1项之双变换方式接收机,其中尚具备有:数位-类比变换器,系用以生成调谐频率数设定用之控制电压,而可加诸于该天线调谐电路中所含之该变容二极体上;局部振荡器,系用以将频率数为可变之局部振荡信号,输入至被输入有来自该高频放大电路之输出信号的该第1混合电路中;及控制部,设定来自该局部振荡器所输出局部振荡信号频率数,同时生成在该局部振荡信号之频率数中用以连动该天线调谐电路之调谐频率数所必要之频率数设定资料,并输入于该数位-类比变换器。6.如申请专利范围第5项之双变换方式接收机,其中该数位-类比变换器系,该控制电压可在所定之温度系数下,随周围之温度作变化者。7.如申请专利范围第6项之双变换方式接收机,其中该数位-类比变换器具有温度系数设定部,其系含有具所定温度系数之元件的构成;该温度系数设定部全体之元件常数,系随周围温度变化者。8.如申请专利范围第7项之双变换方式接收机,其中该数位-类比变换器、该高频放大电路、该第1与第2混合电路、该检波电路及该局部振荡器等,系形成在同一个半导体基板上;该温度系数设定部系含有依半导体制程所形成之使温度系数互为不同之复数个电阻;且使该数位-类比变换器之温度系数系成为所定値之方式般地设定该等复数电阻之连接形态。9.如申请专利范围第8项之接收机,其中该等复数之电阻系分别由半导体基板上之多晶矽形成,藉由调整该多晶矽之不纯物浓度及载体(carrier)之种类,而使温度系数为不同者。10.如申请专利范围第8项之双变换方式接收机,其中该等复数之电阻,分别系利用半导体基板上之p形领域或n形领域而形成,藉由调整该p形领域或n形领域之不纯物浓度及载体之种类,而使其等之温度系数为不同者。11.如申请专利范围第7项之双变换方式接收机,其中该数位-类比变换器具有:电流源,设定有与被输入之该频率数设定资料对应的値之电流値;及该温度系数设定部,系流通有依该电流源所生成之电流;将该温度系数设定部之两端电压作为该控制电压而输出者。图式简单说明:第1图为第1实施例接收机之构成图。第2图为第2实施例接收机之构成图。第3图为DAC之详细构成图。第4图为串联连接有3种电阻之温度系数设定部构成图。第5图为并联连接有3种电阻之温度系数设定部构成图。第6图为串联及并联有3种电阻之温度系数设定部构成图。 |
