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发明名称 VERFAHREN ZUR BILDUNG VON ULTRA-DÜNNEM GATE-OXID
摘要
申请公布号 DE69728966(T2) 申请公布日期 2005.04.21
申请号 DE19976028966T 申请日期 1997.01.30
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 LEE, RUOJIA;THAKUR, P.
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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