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发明名称 FLASH MEMORY CELL IN WHICH VOLTAGE AT DRAIN VOLTAGE AND LEAKAGE CURRENT ARE REDUCED TO PREVENT DISTURBANCE
摘要
申请公布号 KR100485356(B1) 申请公布日期 2005.04.15
申请号 KR19970027850 申请日期 1997.06.26
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 YANG, TAE HEUM;JU, YEONG DONG;KIM, JU YEONG;JUNG, JONG BAE;LEE, JONG SEOK
分类号 G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C16/06 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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