发明名称 |
具有多层硅结构的显示器 |
摘要 |
本发明提出一种具有多层硅结构的显示器,此多层硅结构包括:一基板、一第一硅层位于基板上、一闸极介电层位于第一硅层上、一闸极位于闸极介电层上、一层间介电层位于闸极上和闸极介电层上,以及一第二硅层位于层间介电层上,其中第二硅层可为一被动组件或一主动组件,而形成一组件堆栈结构。 |
申请公布号 |
CN1605914A |
申请公布日期 |
2005.04.13 |
申请号 |
CN200310100303.2 |
申请日期 |
2003.10.09 |
申请人 |
统宝光电股份有限公司 |
发明人 |
林孝义 |
分类号 |
G02F1/136;H01L21/00;H01L29/78 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王一斌 |
主权项 |
1.一种具有多层硅结构的显示器,其中该多层硅结构至少包括:一基板;一第一硅层位于该基板上;一闸极介电层位于该第一硅层上;一闸极位于该闸极介电层上;一层间介电层至少一部分位于该闸极上或该闸极介电层上;及一第二硅层至少一部分位于该层间介电层上。其中该第二硅层为包含一第二信道区域、一第二源极区域和一第二汲极区域的主动组件,而形成一组件堆栈结构。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |