| 主权项 |
1.一种氮化镓系(GaN-based)发光二极体之制作方法,至少包含:形成至少一氮化镓系发光元件于一基板上;利用一黏胶层贴附一暂时载体于该氮化镓系发光元件之上;移除该基板,以完整暴露出该氮化镓系发光元件之一第一电性氮化镓系半导体层;形成一反射层于该氮化镓系发光元件之该第一电性氮化镓系半导体层之上;形成一金属基材层于该反射层之上;以及移除该暂时载体与该黏胶层,以完成一具有金属导电基板之氮化镓系发光二极体。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该氮化镓系发光元件系为氮化镓(GaN)二极体、氮化铟镓(InGaN)二极体或氮化铝镓(AlGaN)二极体。3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该氮化镓系发光元件内包含一第一电性电极、一第二电性电极、一透明导电层、一第二电性氮化镓系半导体层、一发光主动层以及该第一电性氮化镓系半导体层。4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第一电性氮化镓系半导体层系为一n型氮化镓系结构。5.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该基板系为一蓝宝石(sapphire)材质。6.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该黏胶层系为一环氧树脂(epoxy)层或瞬间接着胶层。7.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该反射层系选用对紫蓝绿光具有高反射特性的金属反射材质。8.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中该金属反射材质系包含银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、钯(Pd)或钼(Mo)。9.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该金属基材层系为具有良好导电特性之金属材质。10.如申请专利范围第9项所述之制作方法,其中该金属材质系包含银(Ag)或铜(Cu)。11.一种氮化镓系发光二极体之结构,至少包含:一金属导电基板;一反射层,位于该金属导电基板上,其中,该反射层系对蓝紫绿光具有高反射率,而金属导电基板则具有良好之导电特性;一第一电性氮化镓系半导体层,位于该反射层之上;一主动层,位于该第一电性氮化镓系半导体层之上;一第二电性氮化镓系半导体层,位于该主动层之上;一透明导电层,位于该第二电性氮化镓系半导体层之上。12.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该反射层之材质系包含银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)或钯(Pd)。13.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该金属导电基板之材质系包含银(Ag)或铜(Cu)。14.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该第一电性氮化镓系半导体层系为一n型氮化镓(GaN)结构。15.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该主动层系为一具有多层量子井结构之发光层。16.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该透明导电层系为一铟锡氧化物(Indium-Tin Oxide)或铟锌氧化物(Indium-Zinc Oxide)层。17.如申请专利范围第11项所述之结构,更包含一阴极电极,且该阴极电极系位于该第一电性氮化镓系半导体层之部分表面上、该反射层之部分表面上或是该金属导电基板之下表面上。18.一种氮化镓(GaN)发光二极体之制作方法,至少包含:形成一n型氮化镓半导体层于一绝缘基板上;形成一主动层于该n型氮化镓半导体层之一部分表面上;形成一p型氮化镓半导体层于该主动层之上,以完成至少一氮化镓发光元件于该绝缘基板之上;贴附一暂时载体于该氮化镓发光元件之上,且该暂时载体与该氮化镓发光元件之间系包含一黏胶层;移除该绝缘基板,以完整暴露出该n型氮化镓半导体层;形成一反射层于该n型氮化镓半导体层之上,其中,该反射层系为对蓝紫绿光具有高反射率之金属反射材质;形成一金属基材层于该反射层之上,其中,该金属基材层系具有良好之导电特性;以及移除该暂时载体与该黏胶层,以完成一具有金属导电基板之氮化镓发光二极体。19.如申请专利范围第18项所述之制作方法,于该p型氮化镓半导体层形成之后,以及该暂时载体之该贴附步骤之前,更至少包含:形成一透明导电层于该p型氮化镓半导体层之上;以及同时形成一阳极电极于该透明导电层之上,以及一阴极电极于该n型氮化镓半导体层之另一部份表面上。20.如申请专利范围第18项所述之制作方法,更包含形成一阴极电极,且该阴极电极系于该金属基材层或该反射层之上。图式简单说明:第1A~1E图系为依照本发明较佳实施例之一种氮化镓发光二极体制作方法的流程剖面示意图。第2图系为依照本发明较佳实施利之另一氮化镓发光二极体结构示意图。 |
