| 主权项 |
1.一种半导体封装基板电性连接垫之电镀金属层 制法,其步骤包括: 提供一至少一表面具有复数个电性连接垫之半导 体封装基板,并于该基板表面覆盖一导电膜; 于该导电膜上形成第一阻层; 同时移除覆盖于该电性连接垫上之第一阻层与导 电膜,俾使该第一阻层与导电膜于该电性连接垫处 形成开孔; 于该基板表面形成第二阻层,使该第二阻层覆住残 露于第一阻层开孔区之导电膜; 对该封装基板进行电镀,使该电性连接垫外露表面 电镀有金属层;以及 移除第二阻层、第一阻层及其所覆盖之导电膜。 2.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,复包含: 于该封装基板表面形成一拒焊层,并使该拒焊层具 有复数个开孔以显露已完成电镀金属层之电性连 接垫。 3.如申请专利范围第2项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该拒焊层之开孔孔 径可大于电性连接垫之大小。 4.如申请专利范围第2项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该拒焊层之开孔孔 径可小于电性连接垫之大小。 5.如申请专利范围第2项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该拒焊层可为一绿 漆。 6.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该封装基板为一打 线式封装基板。 7.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该电性连接垫可为 打线垫。 8.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该电性连接垫可为 焊球垫。 9.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该电镀金属层系选 自由金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛、镍/金 、钯/金及镍/钯/金所构成之群组之一者所形成。 10.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该导电膜为有机导 电性聚合物(organic conductive polymer)。 11.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该导电膜可选自聚 乙炔、聚对苯、聚比略、聚塞吩、聚苯胺等所构 成之组群材料。 12.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连 接垫之电镀金属层制法,其中,该阻层可为一乾膜 、光阻及液态光阻之任一者。 图式简单说明: 第1图系为习知封装基板之电性连接垫电镀有镍/ 金金属层之剖面示意图; 第2A至2D图系为另一习知封装基板之电性连接垫电 镀镍/金制程之剖面示意图; 第3图系应用本发明之半导体封装基板电性连接垫 之电镀金属层制法之基板剖面示意图;以及 第4A图至4H图系本发明之半导体封装基板电性连接 垫之电镀金属层制法示意图。 |
