| 主权项 |
1.一种介电质陶瓷,系以ABO3(A为Ba或Ba及其一部分Ba 经置换成Ca和Sr之至少一种元素,B为Ti或Ti及其一部 分Ti经置换成Zr和Hf之至少一种元素)作为主要成分 并含有稀土元素之介电质陶瓷,其特征在于: 就构成该介电质陶瓷70%以上的晶粒,观察其断面时 ,5~70%的截面积由稀土元素固溶的稀土元素固溶区 域所占据,10~80%的断面外周由稀土元素未固溶的稀 土元素非固溶区域所占据。 2.如申请专利范围第1项之介电质陶瓷,其特征在于 :其中包含有晶粒和占据该晶粒之间的晶界,稀土 元素在该晶粒内部的平均浓度,为稀土元素在该晶 界中平均浓度的1/2以下。 3.如申请专利范围第1项之介电质陶瓷,其特征在于 :其中又含有Mn、Ni、Fe、Cu、Mg、Al、Cr及V之至少一 种元素。 4.如申请专利范围第1项之介电质陶瓷,其特征在于 其中有含有包含Si、B(硼)及Li之至少一种元素的烧 结助剂。 5.一种介电质陶瓷之制造方法,系如申请专利范围 第1至4项中任一项之介电陶瓷的制造方法,其中包 含有: 藉由合成ABO3(A为Ba、或Ba及其一部分Ba经置换成Ca 及Sr之至少一种,B为Ti、或Ti及其一部分Ti经置换成 Zr及Hf之至少一种元素),制造多个初级粒子呈凝聚 状态的ABO3凝聚体制造程序, 准备稀土元素化合物之程序, 藉由将该ABO3凝聚体与该稀土元素化合物混合和煆 烧,使该稀土元素在该ABO3凝聚体的表面部分扩散 固溶之程序,及 对含有在该表面部分固溶有稀土元素的ABO3凝聚体 或其粉碎物的介电质陶瓷粉末进行烧结之程序。 6.如申请专利范围第5项之介电质陶瓷之制造方法, 其中该ABO3凝聚体制造程序,又包含粉碎该ABO3凝聚 体,使其中大部分变成由四个以上和20个以下之初 级粒子所形成的凝聚体之ABO3凝聚体粉碎程序。 7.如申请专利范围第5项之介电质陶瓷之制造方法, 其中又包含在该烧结程序之前,将应当烧结之稀土 元素在该表面部分固溶的ABO3凝聚体粉碎至初级粒 子之粉碎程序。 8.如申请专利范围第7项之介电质陶瓷之制造方法, 其中该初级粒子之平均粒径为0.05~0.7微米。 9.一种积层陶瓷电容器,其特征在于其包括 包含多个积层之介电质陶瓷层及沿着该介电质陶 瓷层之间特定介面形成的内部电极之积层体,及 在该积层体外表面上形成的外部电极,以便可以与 该内部电极的特定部分进行电连接, 其中该介电质陶瓷层系由如申请专利范围第1项之 介电质陶瓷所构成。 图式简单说明: 图1系示意表示本发明一种实施方式的积层陶瓷电 容器1的剖视图。 图2系示意表示构成本发明介电质陶瓷的一个晶粒 21的剖视图。 图3(1)至3(4)为依次图解说明本发明介电质陶瓷的 制造方法所包括的典型程序的示意图。 |
