发明名称 提纯SiO<SUB>2</SUB>制粒的方法,实施该方法的装置及按此方法制备的制粒
摘要 已知的提纯SiO<SUB>2</SUB>制粒的方法是在一个具有垂直方向布置的中心轴线的反应器里加热制粒填料,并使填装料经受以规定流动速度以下向上流过反应器和填装料的处理气体的作用。由此出发,为了提供一种改善的方法和简单合适的装置,按本发明方法建议使用一种含氯的处理气体;在装料部位将处理气体调定到至少1000℃的处理温度并将流动速度调定到至少10厘米/秒。按本发明的装置有一个气体喷吹装置用于输入气体,这种喷吹装置在填装料之下具有许多在中心轴线旁边分布的喷气孔,用于将处理气体导入填装料里。由天然原材料按本发明提纯后的SiO<SUB>2</SUB>制粒的特点是:铁含量少于十亿分之二十的重量(20Gew.-ppb),最好小于5ppb;锰的含量小于30Gew.-ppb,最好为5ppb;锂的含量小于50ppb,最好为5ppb;铬、铜、镍的含量分别小于20Gew.-ppb,最好小于1ppb。
申请公布号 CN1195674C 申请公布日期 2005.04.06
申请号 CN00800773.X 申请日期 2000.05.05
申请人 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 发明人 J·贝克;J·诺瓦克
分类号 C01B33/18;C03C1/02;C03B19/00;B01J8/18 主分类号 C01B33/18
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 苏娟
主权项 1.对SiO2制粒进行提纯的方法,就是对具有垂直方向中心轴线(3)的反应器(2)里面的制粒填装料(4)进行加热并同时使其经受以预定的流速从下向上流过反应器(2)和填装料(4)的处理气体的作用,其特征在于,使用了一种含氯的处理气体;而且在填装料(4)的部位处将处理气体调定到至少1000℃的处理温度,流速调定到至少10厘米/秒。
地址 德国哈瑙