| 发明名称 | 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于减少栅极宽度变化的方法。此方法包含有提供其中形成有栅极(230)且在此栅极(230)的至少部分表面上形成有防反射涂敷层(240)的晶片。此栅极(230)具有宽度。量测栅极(230)的宽度。决定用于移除此防反射涂敷(240)的剥除工具(130)的剥除率。将所量测到的栅极(230)宽度与目标栅极临界尺寸相比较以便依据剥除率决定过度蚀刻的时间。根据过度蚀刻的时间修正剥除工具(130)的操作方法。处理线(100)包含有第一度量工具(120)、剥除工具(130)和处理控制器(150)。此第一度量工具(120)用于量测在晶片上所形成的栅极(230)宽度。此栅极(230)的至少部分表面上形成有防反射涂敷层(240)。此剥除工具(130)用于移除防反射涂敷层(240)。此处理控制器(150)，用于决定剥除工具(130)的剥除率，比较栅极(230)的宽度和目标栅极的临界尺寸以便依据剥除率决定过度蚀刻时间，且依据过度蚀刻时间修正剥除工具(130)的操作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1196186C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN01812560.3 | 申请日期 | 2001.07.03 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·S·蓝斯佛得 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L21/28;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于减少栅极宽度变化的方法，包含有：提供其中形成有栅极(230)且在此栅极(230)的至少部分表面上形成有防反射涂敷层(240)的晶片(110)，此栅极(230)具有宽度；量测栅极(230)的宽度；决定用于移除此防反射涂敷(240)的剥除工具(130)的剥除率；将所量测到的栅极(230)宽度与目标栅极临界尺寸相比较以便依据剥除率决定过度蚀刻的时间；依据过度蚀刻时间修正剥除工具(130)的操作方法。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||