记忆体闸极结构之制造方法

摘要

一种制造记忆体闸极结构之方法，包含步骤系提供基底；于该基底表面形成多个闸极，各闸极包含一金属层；于该基底表面及闸极上形成预定图案之光阻层，以于闸极间选择性形成开孔；移除该闸极金属层邻近开孔之部分；移除光阻层；以及在闸极侧面形成一绝缘层。