蚀刻侧壁的方法及藉由浅沟槽隔离制程于具有沟槽之基底上形成半导体结构的方法

摘要

本发明提供一种蚀刻侧壁的方法及藉由浅沟槽隔离制程于具有沟槽之基底上形成半导体结构的方法，其中，蚀刻侧壁的方法首先提供一具有沟槽之基底，且沟槽之开口、侧壁及底部具有填充物质。接着，藉由防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质之间的反应，将沟槽之开口及侧壁上之填充物质去除，以留下沟槽底部之填充物质。防止蚀刻剂与与沟槽底部填充物质间之反应的方法，主要是利用在沟槽底部之填充物质形成气泡的方法来进行；其中，气泡是藉由将基底反转后浸泡在蚀刻剂中的方法来形成。