| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括在硅基片上形成元件的工序；封装所述元件的工序；对所述被封装的元件在运送或长期保存之前进行退火的工序。用该半导体装置的制造方法来防止起因于能量射线的照射的元件缺陷的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN1602539A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN02824559.8 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 芦田勉 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/14 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 徐谦;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：在硅基片上形成元件的工序；封装所述元件的工序；对所述被封装的元件在运送或长期保存之前进行退火的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||