发明名称 评价半导体涂布薄膜用溶液的方法
摘要 本发明提供一种评价半导体涂布薄膜用溶液的方法,该方法包括:当半导体涂布薄膜用溶液从平均孔径大小为0.01至0.4μm的过滤器过滤时,测量所述溶液的堵塞度,和估计由所述溶液形成的涂布薄膜的质量,其中,所述堵塞度由下式定义:堵塞度=V2/V1,V1:在溶液在固定的压力和温度下过滤的情况下,滤出液在初始标准点的线速度值(每1cm<SUP>2</SUP>过滤器的过滤速度(g/cm<SUP>2</SUP>·min)),V2:在从初始标准点流出规定重量的滤出液时,滤出液的线速度值。根据本方法,可以在没有实际形成涂布薄膜的条件下计算出涂布薄膜的质量,可以由此评价涂布薄膜用溶液。
申请公布号 CN1601716A 申请公布日期 2005.03.30
申请号 CN200410011883.2 申请日期 2004.09.24
申请人 住友化学工业株式会社 发明人 花元幸夫;山本敏
分类号 H01L21/66;G03F7/004 主分类号 H01L21/66
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 陈平
主权项 1.一种评价半导体涂布薄膜用溶液的方法,该方法包括:当半导体涂布薄膜用溶液从平均孔径大小为0.01至0.4μm的过滤器过滤时,测量所述溶液的堵塞度,和估计由所述溶液形成的涂布薄膜的质量,其中,所述堵塞度由下式定义:堵塞度=V2/V1V1:在溶液在固定的压力和温度下过滤的情况下,滤出液在初始标准点的线速度值(每1cm2过滤器的过滤速度(g/cm2·min)),V2:在从初始标准点流出规定重量的滤出液时,滤出液的线速度值。
地址 日本国大阪府