发明名称 |
Gasversorgungsanordnung, insbesondere für einen CVD-Prozessreaktor zum Aufwachsen einer Epitaxieschicht |
摘要 |
Erläutert wird u. a. eine Gasversorgungsanordnung (10) für einen Prozessreaktor (270). Die Gasversorgungsanordnung (10) enthält mindestens eine Umschalteinheit (420), eine Prozessgasleitung (470) und eine Hilfsleitung (460). Der Prozessreaktor (270) enthält mindestens einen Gaseinlassanschluss (404). Eine Reaktorleitung (450) liegt zwischen der Umschalteinheit (420) und dem Gaseinlassanschluss (404). Die Reaktorleitung (450) ist kürzer als ein Meter, wodurch hervorragende Betriebseigenschaften der Gasversorgungsanordnung (10) entstehen. |
申请公布号 |
DE10337568(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.17 |
申请号 |
DE2003137568 |
申请日期 |
2003.08.14 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BAUMGARTL, JOHANNES;KOGLER, RUDOLF;VALLANT, THOMAS |
分类号 |
B01F3/02;C23C16/455;C30B25/02;C30B25/14;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
B01F3/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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