发明名称 Gasversorgungsanordnung, insbesondere für einen CVD-Prozessreaktor zum Aufwachsen einer Epitaxieschicht
摘要 Erläutert wird u. a. eine Gasversorgungsanordnung (10) für einen Prozessreaktor (270). Die Gasversorgungsanordnung (10) enthält mindestens eine Umschalteinheit (420), eine Prozessgasleitung (470) und eine Hilfsleitung (460). Der Prozessreaktor (270) enthält mindestens einen Gaseinlassanschluss (404). Eine Reaktorleitung (450) liegt zwischen der Umschalteinheit (420) und dem Gaseinlassanschluss (404). Die Reaktorleitung (450) ist kürzer als ein Meter, wodurch hervorragende Betriebseigenschaften der Gasversorgungsanordnung (10) entstehen.
申请公布号 DE10337568(A1) 申请公布日期 2005.03.17
申请号 DE2003137568 申请日期 2003.08.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BAUMGARTL, JOHANNES;KOGLER, RUDOLF;VALLANT, THOMAS
分类号 B01F3/02;C23C16/455;C30B25/02;C30B25/14;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 B01F3/02
代理机构 代理人
主权项
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