线状元件

摘要

线状MISFET之特征系具有柔软性与可挠性、并可形成任意形状之积体电路，常见之构造为源极区与汲极区并列配置之结构。然而，因为决定MISFET之电性的通道长度系由延着圆柱形闸极绝缘区之源极区与汲极区间的距离来决定，故难以缩小通道长度与提高再现性。因此，本发明提供一种于源极区与汲极区间设置作为通道之半导体区的结构之MISFET。间隔着闸极绝缘区对半导体区施加控制电压，以控制于源极区与汲极区间流动的电流。由于此通道长度决定于半导体区之膜厚，因此可缩小通道长度，且提高再现性。