发明名称 研磨金属层的方法
摘要 一种研磨金属层的方法系包括下列步骤:提供一具有上部已图案化介电层之结构,其具有一开口形成于其中;形成一阻障层于该上部已图案化介电层之上,并依衬于该开口中;于该阻障层上形成一金属层,并填充该开口;实施一第一研磨步骤,使用一第一研浆组合物以移除部份该覆盖于上述介电层外之金属层;实施一第二研磨步骤,其系利用该第一研浆组合物以研磨上述金属层,直至暴露出位于该介电层上方之阻障层的平面;实施一第三研磨步骤,使用一第二研浆组合物以移除该已经暴露之阻障层上方平面部份,并暴露出该位于其下方之介电层部份;以及实施一第四研磨步骤,其系利用该第二研浆组合物及一腐蚀抑制剂BTA以抛拭该所暴露之介电层的上方部份,并保护金属层表面不易腐蚀。
申请公布号 TW200511418 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW093122018 申请日期 2004.07.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈奕蓁;蔡庆铭;张瑞庭
分类号 H01L21/304;B24B57/02 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号