记忆芯片制造方法及其构造

摘要

本发明是关于一种记忆芯片制造方法及其结构，尤其是指一种可以降低制作成本并提高生产良率的记忆芯片制造方法及其结构。其制造方法包括有芯片设置步骤、铝导线打线步骤、测试步骤、封胶步骤；而本发明的结构具有一基板，基板的上、下侧设置有铜金属层、于铜金属层上依序设置有镍金属层以及金金属层，于金金属层上设置芯片，芯片及金金属层间设置有铝导线且该铝导线乃贯穿过金金属层连接至镍金属层，经由上述的方法及结构，本发明可在铝导线打线后即进行测试以提高良率，而导线采用的是铝金属，且不需在芯片上设置金球，因此可降低金金属的使用量以降低生产成本。

主权项

1.一种记忆芯片制造方法，其特征在于，其包括有：芯片设置步骤：其乃是将芯片设置在基板上；铝导线打线步骤：其是利用超音波结合原理将铝导线分别与基板上的电子回路及芯片相互接续；测试步骤：其乃是将打线完毕的芯片进行接续状态测试；封胶步骤：其乃是将经由测试步骤后，测试无误的芯片进行封胶。