| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。在包括半导体发光元件(通过电流注入发射第1波长的光)、荧光体部分(掺入靠上述第1波长的光激励发射第2波长的光的荧光体)的半导体发光器件中，在半导体发光元件的周围适宜的地方掺入扩散材料。可以得到从任何角度看都没有颜色不均匀的发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1193438C | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN01124470.4 | 申请日期 | 2001.07.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 古川千里;森下正之 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，其特征在于：包括：在电流注入时发射第1波长的光的半导体发光元件；和包含掺入有荧光体和扩散材料的硅酮树脂的荧光体部分；其中，上述荧光体被第1波长的光激励而发射第2波长的光，在上述荧光体部分中的上述扩散材料的重量百分比浓度是从0.5％到5.0％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||