一种低温集成的圆片级微机电系统气密性封装工艺

摘要

一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，包括以下步骤：1.在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；2.在铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，烘干；3.在硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)；4.在金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)；5.在树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；6.暴露出铝/铬层(2)；7.形成牺牲孔(9)；8.将光刻胶(3)去掉；9.在原来铝/铬(2)层的位置，溅射淀积金/铬层(7)；10.电镀金层(8)，以封住牺牲孔(9)。本发明与现有技术相比，具有不变形、封装质量高、体积减小、工艺简单、成本低的优点。

主权项

1、一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，其特征是：包括以下步骤：步骤(1)、在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；步骤(2)、在所述的铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，然后烘干，使所述的光刻胶(3)减薄；步骤(3)、在所述的硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)作为种子层；步骤(4)、在所述的金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)作为电镀模子；步骤(5)、在所述的树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；步骤(6)、剥掉所述的镍层(6)周围的树脂胶(5)和部分的金/铬层(4)，以暴露出所述的铝/铬层(2)；步骤(7)、剥掉所述的整个铝/铬(2)层；形成牺牲孔(9)；步骤(8)、以显影液进入到内腔(10)中，将所述的光刻胶(3)去掉；步骤(9)、在原来铝/铬(2)层的位置、即牺牲孔(9)处，溅射淀积金/铬层(7)；步骤(10)、在所述的金/铬层(7)上的牺牲孔(9)处，电镀金层(8)，以封住所述的牺牲孔(9)。