| 主权项 |
1.一种电子元件基板构造,包含: 一基板,至少有一表面系由Si(100)单晶制成; 一金属薄膜,具有一面心立方结构或六方最密堆积 结构,且系形成该基板上,该金属薄膜系选自由具 有(111)平面平行于该基板表面定向之面心立方结 构之(111)定向膜,以及具有(0001)平面平行于该基板 表面定向之六方最密堆积结构之(0001)定向膜组成 的组群;以及 一吴氏(wurtzite)型薄膜,其具有一吴氏型晶体结构 且系形成于该金属薄膜上,该吴氏型薄膜为具有( 0001)平面平行于该基板表面定向之(0001)定向膜; 其中该金属薄膜及该吴氏型薄膜各自为多晶膜,且 含有至少两种晶体于平面之定向方向不同之晶体 晶粒; 当该金属薄膜为(111)定向膜,该吴氏型薄膜系磊晶 生长于该金属薄膜上,以致于吴氏型薄膜平面之<11 -20>轴系平行于该金属薄膜平面之<1-10>轴;以及 当该金属薄膜为(0001)定向膜,该吴氏型薄膜系磊晶 生长于该金属薄膜上,以致于吴氏型薄膜平面之<11 -20>轴系平行于该金属薄膜平面之<1-20>轴。 2.如申请专利范围第1项之电子元件基板构造,其中 该金属薄膜含有两种晶体于平面之定向方向不同 之晶体晶粒; 当该金属薄膜为(111)定向膜时,两种晶体晶粒之个 别<1-10>轴系彼此垂直;以及 当该金属薄膜为(0001)定向膜时,该两种晶体晶粒之 个别<11-20>轴系彼此垂直。 3.如申请专利范围第2项之电子元件基板构造,进一 步包括一缓冲层插置于该基板与该金属薄膜间,其 中该缓冲层系磊晶生长,以致于该缓冲层之(001)平 面系平行于该基板,以及该缓冲层平面之<100>轴系 平行于该基板Si(100)单晶平面之<010>轴。 4.如申请专利范围第3项之电子元件基板构造,其中 : 当该金属薄膜为(111)定向膜时,含于该金属薄膜之 两种晶体晶粒之一之<1-10>轴系平行于该缓冲层平 面之<100>轴,而该两种晶体晶粒之另一之<1-10>轴系 平行于该缓冲层平面之<010>轴;以及 当该金属薄膜为(0001)定向膜时,含于该金属薄膜之 两种晶体晶粒之一之<11-20>轴系平行于该缓冲层平 面之<100>轴,而该两种晶体晶粒之另一之<11-20>轴系 平行于该缓冲层平面之<010>轴。 5.如申请专利范围第4项之电子元件基板构造,其中 含于该吴氏型薄膜之该两种晶体晶粒之一之<11-20> 轴系平行于该基板之Si(100)单晶平面之<010>轴,而含 于该吴氏型薄膜之该两种晶体晶粒之另一之<11-20> 轴系垂直于该基板之Si(100)单晶平面之<010>轴。 6.如申请专利范围第3至5项中任一项之电子元件基 板构造,其中该缓冲层含有氧化锆作为主成分。 7.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子元件基 板构造,其中该金属薄膜之平均晶粒大小系大于该 吴氏型薄膜之晶粒大小。 8.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子元件基 板构造,其中该金属薄膜含有选自由Pt、Au、Ir、Os 、Re、Pd、Rh及Ru组成的组群中之至少一成员作为 主成分。 9.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子元件基 板构造,其中该吴氏型薄膜为AlGaInN型薄膜含有N以 及选自Al、Ga及In组成的组群之至少一成员作为主 成分;或为ZnO型薄膜含有氧化锌作为主成分。 10.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子元件 基板构造,其中该金属薄膜系被设置,以致于X光绕 射于(111)或(0002)平面之反射摇摆曲线之半値宽度 不大于3度。 11.一种电子元件,包含一种如申请专利范围第1至5 项中任一项定义之电子元件基板构造,以及一第二 金属薄膜形成于该电子元件基板构造之该吴氏型 薄膜上,其中介于其间夹置有该吴氏型薄膜之该对 金属薄膜系作为电极。 12.如申请专利范围第11项之电子元件,其中该吴氏 型薄膜具有压电特性,以致于该电子元件用作为薄 膜本体振子。 图式简单说明: 图1为剖面图,显示根据本发明,电子元件之组态范 例; 图2为典型视图,显示于根据本发明之电子元件基 板构造中,于基板平面以及形成于基板上之个别薄 膜平面之晶体定向方向; 图3为典型视图,显示于根据本发明之电子元件基 板构造中,于基板平面以及形成于基板上之个别薄 膜平面之晶体定向方向; 图4为典型视图,显示于根据本发明之电子元件基 板构造中,于基板平面以及形成于基板上之个别薄 膜平面之晶体定向方向; 图5为剖面图,显示薄膜本体振子之组态范例; 图6为视图,显示根据本发明用于制造电子元件基 板构造之蒸镀系统范例; 图7为绕射图,显示实施例中制造的Si(100)/ZrO2/Pt/AlN 层合物结构之-2X光绕射结果; 图8为实施例制造的Si(100)/ZrO2/Pt/AlN层合物结构中 之Pt(111)X光摇摆曲线; 图9为实施例制造的Si(100)/ZrO2/Pt/AlN层合物结构中 之AlN(0002)X光摇摆曲线; 图10为显示晶体结构之绘图取代相片,换言之显示 实施例制造的Si(100)/ZrO2(001)/Pt(111)/AlN(0001)层合物 结构中AlN(0001)之RHEED图案,该等情况下之入射光电 子束轴系平行于Si<010>方向; 图11为显示晶体结构之绘图取代相片,换言之显示 实施例制造的Si(100)/ZrO2(001)/Pt(111)层合物结构中,Pt (111)之TEM影像,该种情况下Pt(111)系由顶部拍摄; 图12为显示晶体结构之绘图取代相片,换言之显示 实施例制造的Si(100)/ZrO2(001)/Pt(111)/AlN(0001)层合物 结构中,AlN(0001)之SEM影像,该种情况下AlN(0001)系由 顶部拍摄;以及 图13为显示晶体结构之绘图取代相片,换言之显示 实施例制造的Si(100)/ZrO2(001)/Pt(111)/AlN(0001)层合物 结构中,AlN(0001)之TEM影像,该种情况下AlN(0001)系由 顶部拍摄。 |
