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Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gassensor mit einer auf einem Halbleitersubstrat 2 ausgebildeten Membranschicht 3, auf der eine Auswertestruktur 7 in einem Auswertebereich 8 und eine Heizstruktur 9 außerhalb des Auswertebereichs 8 angeordnet sind, und mit einer über der Auswertestruktur 7 und der Heizstruktur 9 angeordneten gassensitiven Schicht 10, wobei die gassensitive Schicht 10 von der Heizstruktur 9 beheizbar und der elektrische Widerstand der gassensitiven Schicht 10 von der Auswertestruktur 7 auswertbar ist und wobei die Heizstruktur 9 auf einer haftvermittelnden Oxidschicht 6 auf der Oberseite der Membranschicht 3 angeordnet und durch eine Deckoxidschicht 11 von der gassensitiven Schicht getrennt ist. Um eine zuverlässige Funktionsweise zu ermöglichen, ist bei dem Gassensor vorgesehen, dass in dem Auswertebereich 8 eine gegenüber einer Oxidätzung unempfindliche Haftvermittlerschicht 13 zwischen der Membranschicht 3 und der Auswertestruktur 7 angeordnet ist oder dass die Auswertestruktur 7 in dem Auswertebereich 8 entsprechend der Heizstruktur 9 durch die Deckoxidschicht 11 von der gassensitiven Schicht 10 getrennt ist, wobei die Deckoxidschicht 11 Kontaktlöcher 12 aufweist, welche jeweils einen mittleren Bereich der Oberfläche der Auswertestruktur 7 freilegen, um einen direkten Kontakt zwischen der Auswertestruktur 7 und der gassensitiven Schicht 10 herzustellen.
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