| 发明名称 | 薄膜晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管结构，其包含有一衬底，一半导体层以及一栅极设于该衬底上。其中该半导体层包含有一沟道区，两轻掺杂漏极以及两源极/漏极，该栅极与该等轻掺杂漏极相对称，且该栅极的两侧壁与其相邻的各该轻掺杂漏极相堆叠，该等轻掺杂漏极与该等源极/漏极间的界面未与该栅极相堆叠，该等源极/漏极也未与该栅极相堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1591905A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03154940.3 | 申请日期 | 2003.08.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈坤宏 |
| 分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管结构，其包含有：一衬底；一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，两轻掺杂漏极，以及两源极/漏极；以及一栅极设于该衬底上，该栅极与该等轻掺杂漏极相对称，且该栅极的两侧壁与其相邻的各该轻掺杂漏极相堆叠，该等轻掺杂漏极与该等源极/漏极间的界面未与该栅极相堆叠，该等源极/漏极也未与该栅极相堆叠。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||