发明名称 铜电镀薄膜方法
摘要 一种铜电镀薄膜方法,涉及半导体铜布线工艺中的铜薄膜的电镀,具体步骤为:先在阻挡层上沉积铜籽晶层,然后对铜籽晶层进行表面处理,最后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层;上述表面处理的步骤可以是用气体冲刷Cu籽晶层、对Cu籽晶进行退火处理、或用加热后的温水对Cu籽晶层进行冲洗;使用本发明方法处理后的Cu籽晶层,其表面是经过了结构重组或/和在几个原子层上经过了氧化了的结构,这种表面处理方法会减少铜薄膜的表面张力,从而有效地提高了ECP Cu薄膜与ECP电镀化学试剂之间的润湿能力,其结果是在极短的时间内降低或甚消除ECP Cu薄膜中的缺陷。
申请公布号 CN1590597A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN03150640.2 申请日期 2003.08.29
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张开军;职春星;徐根保
分类号 C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 主分类号 C25D7/12
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 陈红
主权项 1.一种铜电镀薄膜方法,包括:先在阻挡层上沉积铜籽晶层,然后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层;其特征是:该方法在上述两步骤之间还包括对铜籽晶层进行表面处理的步骤。
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