发明名称 | 金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法 | ||
摘要 | 本发明是关于一种金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法,该金属内连线制程,是首先提供已形成有介电层的基底,且介电层上已形成有含硅罩幕层。接着图案化介电层以形成开口。之后在含硅罩幕层的表面以及开口内形成金属黏着层,然后在开口内填入金属层。随后进行热制程,以使金属黏着层与含硅罩幕层反应,而形成金属硅化物层。之后,移除部分金属层,直到金属硅化物层暴露出来。接着,利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液移除金属硅化物层之后,再移除含硅罩幕层,直到介电层暴露出来。其利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液可以有效移除金属硅化物层,且不会对金属层造成伤害。 | ||
申请公布号 | CN1591819A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
申请号 | CN03156209.4 | 申请日期 | 2003.09.04 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈天送;陈逸男;黄志涛 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/321 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 1、一种金属内连线制程,其特征在于其包括以下步骤:提供一基底,该基底上已形成有一介电层,且该介电层上已形成有一含硅罩幕层;以该含硅罩幕层为一蚀刻罩幕,图案化该介电层,以形成一开口;在该含硅罩幕层以及该开口的表面形成一金属黏着层;在该基底上方形成一金属层,填入该开口并覆盖该金属黏着层;进行一热制程,以使该金属黏着层与该含硅罩幕层反应,而形成一金属硅化物层;利用该金属硅化物层作为一终止层,移除部分该金属层,直到该金属硅化物层暴露出来;进行一清洗步骤,以移除该金属硅化物层;以及移除该含硅罩幕层,直到该介电层暴露出来。 | ||
地址 | 中国台湾 |