| 发明名称 | 形成隔离装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成隔离装置的方法，是一种在具有变形硅(strained-Si)层的硅锗(SiGe)基底上形成隔离装置的方法；首先，提供一半导体基底，此半导体基底为硅锗基底，在半导体基底表面依序形成一第一垫层及硬罩幕层；接着，微影并蚀刻形成第一垫层及硬罩幕层的半导体基底以形成多个沟槽；然后在多个沟槽内壁形成一第二垫层，并沉积一沉积层以填满沟槽；接着依序移除硬罩幕层及第一垫层，以露出半导体基底表面；最后于露出的半导体基底上形成变形硅(strained-Si)层；借由本发明可有效避免变形硅与硅锗基底的间键结断键，以及锗原子扩散至变形硅层中，进而达到提升半导体基底品质的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN1191620C | 申请公布日期 | 2005.03.02 |
| 申请号 | CN02103509.1 | 申请日期 | 2002.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰;史望澄 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种形成隔离装置的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；于该半导体基底表面依序形成一第一垫层及硬罩幕层；微影蚀刻形成有该第一垫层及该硬罩幕层的该半导体基底以形成多个沟槽；在所述多个沟槽内壁形成一第二垫层；沉积一浅沟槽隔离层以填满该沟槽；依序移除该硬罩幕层及该第一垫层，以露出该半导体基底表面；及于露出的该半导体基底上形成变形硅层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||