| 主权项 |
1.一种上闸极型TFT阵列基板,系于绝缘性基板(1)上将像素电极(14')及用以驱动像素电极之TFT(16)形成为矩阵状,其特征在于:前述TFT具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化膜(7);系于前述闸极金属氧化物(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(12);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的闸极电极(13);前述像素电极(14')系形成在前述TFT(16)所形成之部位以外的基板部位,且藉由前述汲极电极(13)而电性连接于前述矽半导体膜之汲极区域。2.如申请专利范围第1项之上闸极型TFT阵列基板,其中前述闸极金属氧化膜(7)系阳极氧化闸极电极金属的表面者。3.如申请专利范围第2项之上闸极型TFT阵列基板,其中前述矽半导体膜之通道区域系以不混入不纯物之i型矽半导体膜而构成,源极区域及汲极区域系将混入不纯物之不纯物半导体膜沉积在前述i型矽半导体膜上而构成。4.如申请专利范围第3项之上闸极型TFT阵列基板,其中前述闸极金属氧化膜(7)与前述源极电极(12)之间、及前述闸极金属氧化膜(7)与前述汲极电极(13)之间介在着连接电极(9'),前述像素电极(14')藉由前述汲极电极(13)及连接电极(9')而电性连接于矽半导体膜之汲极区域,前述源极电极(12)藉由连接电极(9')而电性连接于矽半导体膜之源极区域。5.如申请专利范围第4项之上闸极型TFT阵列基板,其中前述闸极金属氧化膜(7)与前述连接电极(9')之间介在着不纯物矽半导体膜(8')。6.如申请专利范围第5项之上闸极型TFT阵列基板,其中电性连接于前述闸极电极(5')之闸极金属配线的表面以经氧化闸极金属的闸极金属氧化膜来覆盖,电性连接于源极电极(12)之源极金属配线及闸极金属配线系藉由前述闸极金属氧化膜及沉积在此上面的不纯物矽半导体膜而交叉着。7.如申请专利范围第6项之上闸极型TFT阵列基板,其中电性连接于前述源极电极(12)之源极金属配线及前述连接电极(9')系将堆积在前述绝缘性基板(1)上之一层且相同材料所构成之金属膜层予以图案化而形成者。8.如申请专利范围第7项之上闸极型TFT阵列基板,其中包含前述源极金属配线之源极配线沉积层系顺序沉积不纯物矽半导体膜及连接金属膜及源极金属膜之三层构造。9.如申请专利范围第3、4、5、6、7或8项之上闸极型TFT阵列基板,其中前述i型矽半导体膜系不混入不纯物之i型非晶矽膜,前述不纯物矽半导体膜系混入n型不纯物之n型非晶矽膜。10.如申请专利范围第9项之上闸极型TFT阵列基板,其中绝缘性基板(1)表面与前述不混入不纯物之i型非晶矽膜之间沉积底涂层膜(2)。11.一种上闸极型TFT阵列基板之制造方法,具有TFT群及像素电极群,前述TFT群至少具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化膜(7);系于前述闸极金属氧化膜(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(12);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(13),前述像素电极群系形成在前述TFT(16)所形成之部位以外的基板部位,且藉由前述汲极电极(13)而电性连接于前述矽半导体膜之汲极区域;其特征在于至少具有:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(6)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(5')及电性连接于此的闸极金属配线图案;金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(5')及闸极金属配线图案表面,形成用以覆盖前述闸极电极(5')上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(7),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜;闸极绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(4');第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(8)、连接金属膜层(9)及源极汲极金属膜层(10)顺序沉积;第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(11)之光照蚀刻法,系将在前述第2沉积步骤所沉积之源极汲极金属膜层(10)与连接金属膜层(9)与混入不纯物之不纯物矽半导体层导体层(8)与不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)予以顺序地蚀刻而于基板上形成TFT(16);及像素电极形成第3光照蚀刻步骤,系于前述TFT(16)上堆积像素电极膜层(14),且于其后以使用第3光阻图案(15)之光照蚀刻法来蚀刻前述像素电极膜层(14)而形成连接于前述汲极电极(13)之像素电极(14')群。12.如申请专利范围第11项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中前述金属氧化膜形成步骤系使用阳极氧化法。13.如申请专利范围第12项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中前述i型矽半导体膜层(3)系不混入不纯物之i型非晶矽膜层,前述不纯物矽半导体膜层(8)系混入不纯物之不纯物非晶矽膜层。14.如申请专利范围第13项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2光照蚀刻步骤系将沉积在前述闸极电极金属氧化膜(7)上面的各层,顺序地蚀刻至前述闸极电极金属氧化膜(7)上面而形成源极电极(12)及汲极电极(13)。15.如申请专利范围第14项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中至少将前述i型矽半导体膜层(3)、闸极绝缘层膜层(4)及闸极金属膜层(5)予以连续而形成。16.如申请专利范围第15项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中以相同材料且以一层来形成前述源极汲极金属膜层(10)及连接金属膜层(9)。17.如申请专利范围第16项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1沉积步骤系将于绝缘性基板(1)表面沉积底涂层膜后,形成前述i型矽半导体膜层。18.一种液晶显示装置,系具有于在绝缘基板上将像素电极及用以驱动像素电极之TFT形成矩阵状之上闸极电极TFT阵列基板的表面,形成液晶配向膜之第1基板;及具有滤色器与对向像素电极之第2基板系以电极面为内侧而相对向,于两基板之间隙封入液晶的构造,其特征在于:具有上闸极型TFT及像素电极(14');而该上闸极型TFT系具有前述上闸极电极TFT阵列基板具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极表面的闸极电极金属氧化膜(7);系于前述闸极电极金属氧化膜(7)上面相互间离之电极,而覆盖前述闸极电极金属氧化膜(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(12);及覆盖前述闸极电极金属氧化膜(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(13);而该像素电极(14')系形成在前述TFT(16)所形成之部位以外的基板部位,且藉由前述汲极电极(13)而电性连接于前述矽半导体膜之汲极区域。19.如申请专利范围第18项之液晶显示装置,其中前述上闸极型TFT阵列基板上的TFT(16)及像素电极(14')系以保护膜覆盖。20.如申请专利范围第19项之液晶显示装置,其中前述保护膜系以无机物构成。21.一种液晶显示装置之制造方法,系具有:TFT阵列基板制造工程,而该TFT阵列基板制造工程包含有TFT群及像素电极群,而该TFT群包含有具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化膜(7);系于前述闸极金属氧化膜(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(12);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(13),而该像素电极群系形成在前述TFT(16)所形成之部位以外的基板部位,且藉由前述汲极电极(13)而电性连接于前述矽半导体膜之汲极区域;配向膜形成工程,系于前述TFT阵列基板表面形成液晶配向膜而形成第1基板;及装置组装工程,系将前述第1基板及具有滤色器群与对向电极之第2基板以电极面为内侧来重叠,并于两基板之间隙封入液晶而作成液晶显示装置,其特征在于至少具有:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(6)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(5')及电性连接于此的闸极金属配线图案;金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(5')及闸极金属配线图案表面,形成用以覆盖前述闸极电极(5')上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(7),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜;闸极绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(4');第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(8)、连接金属膜层(9)及源极汲极金属膜层(10)顺序沉积;第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(11)之光照蚀刻法,系将在前述第2沉积步骤所沉积之各层及i型矽半导体层导体膜层(3)予以顺序地蚀刻而于基板上形成TFT(16);及像素电极形成第3光照蚀刻步骤,系于前述第2光照蚀刻步骤之后,更在基板表面堆积像素电极膜层(14),且之后以使用第3光阻图案(15)之光照蚀刻法来蚀刻前述像素电极膜层(14)而形成连接于前述汲极电极(13)之像素电极(14')群。22.如申请专利范围第21项之液晶显示装置之制造方法,其中在前述像素电极形成步骤及配向膜形成步骤之间具有以保护膜来覆盖形成于基板上之TFT及像素电极的保护膜沉积步骤。23.一种反射型TFT阵列基板,系于绝缘性基板上将TFT及以前述TFT来驱动之反射型像素电极形成为矩阵状;其特征在于:前述TFT系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化物(7);系于前述闸极金属氧化物(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(42);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(43);且前述汲极电极(43)兼具反射型像素电极。24.如申请专利范围第23项之反射型TFT阵列基板,其中前述闸极电极金属氧化膜(7)系阳极氧化闸极金属表面所形成者。25.如申请专利范围第24项之反射型TFT阵列基板,其中前述矽半导体膜之通道区域系以不混入不纯物之i型矽半导体膜所构成,源极区域及汲极区域系于前述之i型矽半导体膜上沉积混入不纯物之不纯物半导体膜之复合层所构成。26.如申请专利范围第25项之反射型TFT阵列基板,其中前述闸极电极金属氧化膜(7)与前述源极电极(42)之间,及前述闸极电极金属氧化膜(7)与兼具像素电极之前述汲极电极(43)之间介在着连接电极(44)。27.如申请专利范围第26项之反射型TFT阵列基板,其中前述闸极电极金属氧化膜(7)与连接电极(44)之间介在着混入不纯物之不纯物矽半导体膜。28.如申请专利范围第27项之反射型TFT阵列基板,其中电性连接于闸极电极(5')之闸极金属氧化膜表面以闸极金属经氧化之闸极金属氧化膜来覆盖,藉由此等膜而形成电性连接于源极电极(42)之源极金属配线及闸极金属配线呈交叉构造。29.如申请专利范围第28项之反射型TFT阵列基板,其中前述源极电极(42)与电性连接于此源极电极之源极金属配线,及兼具反射型像素电极之前述汲极电极(43)与电性连接于此汲极电极之汲极金属配线,以及连接电极(44),乃将由堆积于前述绝缘性基板(1)上之一层且同一材料所构成之金属膜层予以图案化而形成。30.如申请专利范围第29项之反射型TFT阵列基板,其中前述一层且同一材料所构成之金属膜层系铝或铝合金。31.如申请专利范围第30项之反射型TFT阵列基板,其中前述i型矽半导体膜系不混入不纯物之i型非晶矽膜,前述不纯物矽半导体膜系混入n型不纯物之n型非晶矽膜。32.如申请专利范围第31项之反射型TFT阵列基板,其中包含前述源极金属配线之源极配线沉积层系矽半导体膜及连接金属膜及源极金属膜顺序沉积之三层构造。33.如申请专利范围第31或32项之反射型TFT阵列基板,其中绝缘性基板(1)表面与不混入前述不纯物之i型矽半导体膜之间沉积着底涂层膜(2)。34.一种反射型TFT阵列基板之制造方法,系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化物(7);系于前述闸极金属氧化物(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(42);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(43);且前述汲极电极(43)兼具反射型像素电极,其特征在于具有:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(6)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(5')及电性连接于此的闸极金属配线图案;金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(5')及闸极金属配线图案表面,形成用以覆盖前述闸极电极(5')上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(7),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜;闸极绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(4');第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(8)、连接金属膜层(9)及源极汲极金属膜层(10)顺序沉积;及第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(41)之光照蚀刻法,将在前述第2沉积步骤所沉积之源极汲极金属膜层(10)、连接金属膜层(9)及混入不纯物之不纯物矽半导体层(8)及不混入不纯物之i型矽半导体膜层(3)予以顺序地蚀刻而形成TFT及汲极电极呈一体化之反射型像素电极(47)。35.如申请专利范围第34项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中前述金属氧化膜形成步骤系使用阳极氧化法。36.如申请专利范围第35项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中前述i型矽半导体膜层(3)系不混入不纯物之i型非晶矽膜层,前述不纯物矽半导体膜层(8)系混入n型不纯物之n型不纯物非晶矽膜层。37.如申请专利范围第36项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2光照蚀刻中,系将沉积在前述闸极电极金属氧化膜(7)上面的各层,顺序地蚀刻至前述闸极电极金属氧化膜(7)上面而至少形成源极电极(42)及兼具反射型像素电极之汲极电极(43)。38.如申请专利范围第37项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中以铝或铝合金来形成前述源极汲极金属膜层(10)。39.如申请专利范围第38项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中系将前述源极汲极金属膜层(10)及连接电极(9)形成一层且以相同材质形成。40.如申请专利范围第39项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中于第1沉积步骤中,在绝缘性基板表面与矽半导体膜之间形成底涂层膜。41.一种反射型之液晶显示装置,系于绝缘性基板上形成反射型像素电极及用以驱动反射型像素电极之TFT形成为矩阵状之反射型TFT阵列基板表面,进一步地使形成液晶配向膜之第1基板,及滤色器及与此滤色器上载置着对向电极之第2基板,而使电极面为内侧而对向,并于两基板之间隙封入液晶的构造,其特征在于:具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化膜(7);系于前述闸极金属氧化膜(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(42);及以及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(43),且前述汲极电极(43)系兼具反射型像素电极的构造。42.如申请专利范围第41项之反射型之液晶显示装置,其中前述反射型TFT阵列基板表面以保护膜覆盖,此保护膜上形成前述液晶配向膜。43.如申请专利范围第41项之反射型之液晶显示装置,其中前述保护膜系以无机物构成。44.一种反射型之液晶显示装置之制造方法,系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(4');形成在前述闸极绝缘膜(4')上的闸极电极(5');用以覆盖前述闸极电极(5')之表面的闸极金属氧化物(7);系于前述闸极金属氧化物(7)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(42);及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化物(7)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(43);且具有使前述汲极电极(43)兼具反射型像素电极构造的反射型TFT阵列基板制作工程;于前述反射型TFT阵列基板表面形成液晶配向膜的第1基板制造方法作工程;及将前述第1基板及载置滤色器与对向电极之第2基板,以电极面作为内侧而重叠并于两基板之间际封止部入液晶而形成晶胞的液晶晶胞组装工程,其特征在于:前述反射型TFT阵列基板制作工程至少包含:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(6)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(5')及电性连接于此的闸极金属配线图案;金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(5')及闸极金属配线图案表面,形成用以覆盖前述闸极电极(5')上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(7),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜;闸极绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(4');第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(8)、连接金属膜层(9)及源极汲极金属膜层(10)顺序沉积;及第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(41)之光照蚀刻法,系将在前述第2沉积步骤所沉积之各层及i型矽半导体层导体膜层(3)予以顺序地蚀刻而形成源极电极、及兼具反射型像素电极之汲极电极。45.如申请专利范围第44项之反射型之液晶显示装置之制造方法,其中前述反射型TFT阵列基板制作工程与配向膜形成工程之间,追加以保护膜来覆盖前述反射型TFT阵列基板表面之保护膜形成步骤。46.一种植入开关方式之TFT阵列基板,系具有于绝缘性基板(1)上,将第1栉形像素电极部(79)、作为对向电极之第2栉形像素电极部(80)及用以驱动前述第1栉形像素电极(79)之TFT(78)形成为矩阵状,其特征在于:前述TFT(78)之构造系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73);形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71);用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72);系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76');及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76"),前述第1栉形像素电极部(79)之构成系具有形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外而堆积在前述绝缘性基板(1)上的第1像素矽半导体膜(3");形成在前述第1像素矽半导体膜(3")上的第1像素绝缘膜(73');形成在前述第1像素绝缘膜(73')上的第1像素电极(71');及用以覆盖前述第1像素电极(71')上面及侧面的第1像素电极氧化膜(72')。47.如申请专利范围第46项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述闸极电极金属氧化膜(72)及第1像素电极氧化膜(72')系以阳极氧化法来氧化电极金属表面的阳极氧化膜。48.如申请专利范围第47项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述矽半导体膜之通道区域系以不混入不纯物之i型矽半导体膜(3')来构成,源极区域及汲极区域系以不混入不纯物之i型矽半导体膜(3')及混入不纯物之不纯物矽半导体膜(74')之二层来构成。49.如申请专利范围第48项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述混入不纯物之不纯物矽半导体膜(74')系直接覆盖前述闸极电极金属氧化膜(72)之侧面。50.如申请专利范围第49项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述混入不纯物之不纯物矽半导体膜(74')与源极电极(76')之间,及前述不纯物矽半导体膜与汲极电极(76")之间,更介在着连接电极(75')。51.如申请专利范围第50项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第2栉形像素电极部(80)系形成在TFT(78)及第1栉形像素电极部(79)之形成的基板部位以外的绝缘性基板(1)上,而至少系沉积与前述矽半导体膜同质之矽半导体膜之层,及与前述源极电极(76')同质之金属膜之层的构造。52.如申请专利范围第51项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第2栉形像素电极部(80)系与包含源极区域上之矽半导体膜层之沉积构造相同的沉积构造来形成。53.如申请专利范围第52项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述绝缘性基板(1)与前述矽半导体膜之间形成底涂层膜(2)。54.一种植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,系将TFT(78)及第1栉形像素电极部(79)及第2栉形像素电极部(80)形成在同一基板上,前述TFT(78)构造系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜、形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73)、形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71)、用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72)、系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76')、以及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76");前述第1栉形像素电极部(79)之构成系具有形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外之基板部位而堆积在前述绝缘性基板(1)上的第1像素矽半导体膜(3")、形成在前述第1像素矽半导体膜(3")上的第1像素绝缘膜(73')、形成在前述第1像素绝缘膜(73')上的第1像素电极(71')、以及用以覆盖前述第1像素电极(71')上面及侧面的第1像素电极氧化膜(72');前述第2栉形像素电极部(80)系作为对向电极部,其特征在于具有至少以下步骤:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(70)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(71)及电性连接于此的闸极金属配线图案以及第1像素电极(71);金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(71)及闸极金属配线图案以及第1像素电极(71)之表面,形成用以覆盖闸极电极(71)上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(72),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜,及用以覆盖第1像素电极(71')上面及侧面之第1像素电极氧化膜(72);绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(73)及第1像素绝缘膜(73');第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成步骤后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(74)、连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)顺序沉积;及第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(77)之光照蚀刻法,系将在前述第2沉积步骤所沉积之源极汲极金属膜层(76)及连接金属膜层(75)及混入不纯物之不纯物矽半导体层(74)及不混入不纯物之i型矽半导体层(3)予以顺序地蚀刻而形成TFT(78)及第2栉形像素电极部(80)及第1栉形像素电极部(79)。55.如申请专利范围第54项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述金属氧化膜形成步骤系使用阳极氧化法。56.如申请专利范围第55项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述i型矽半导体膜层(3)系不混入不纯物之i型非晶矽膜层(3'),前述不纯物矽半导体膜层(74)系混入n型不纯物之n型不纯物非晶矽膜层。57.如申请专利范围第56项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2栉形像素电极部(80)系与包含矽半导体膜层1之源极区域上之各层所构成之沉积构造相同地形成。58.如申请专利范围第57项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2积层沉积步骤中,以相同材料且以一层来形成连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)。59.如申请专利范围第58项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1沉积步骤中,在绝缘性基板(1)与矽半导体膜之间形成底涂层膜。60.一种植入开关方式之液晶显示装置,系具有于绝缘性基板(1)上,将第1栉形像素电极部(79)、作为对向电极之第2栉形像素电极部(80)及用以驱动前述第1栉形像素电极(79)之TFT(78)形成为矩阵状之植入开关方式之TFT阵列基板表面,进一步使形成液晶配向膜之第1基板以及至少具有滤色器之第2基板以像素电极及滤色器面为内侧而相对向,并于两基板之间隙封入液晶之构造,其特征在于:前述TFT(78)构造系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73);形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71);用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72);系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76');及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76"),前述第1栉形像素电极部(79)之构成系具有形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外之基板部位而堆积在前述绝缘性基板(1)上的第1像素矽半导体膜(3");形成在前述第1像素矽半导体膜(3")上的第1像素绝缘膜(73');形成在前述第1像素绝缘膜(73')上的第1像素电极(71');及用以覆盖前述第1像素电极(71')上面及侧面的第1像素电极氧化膜(72')。61.如申请专利范围第60项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述闸极电极金属氧化膜(72)及第1像素电极氧化膜(72')系以阳极氧化法来氧化电极金属表面的阳极氧化膜。62.如申请专利范围第60或61项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述第2栉形像素电极部(80)之构造系与包含源极区域上之矽半导体膜层之各层所构成之沉积构造相同。63.如申请专利范围第62项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述植入开关方式之TFT阵列基板表面与液晶配向膜之间介在着保护膜。64.一种植入开关方式之TFT阵列基板,系具有于绝缘性基板(1)上,将第1栉形像素电极部(104)、作为对向电极之第2栉形像素电极部(103)及用以驱动前述第1栉形像素电极之TFT(78)形成为矩阵状,其特征在于:前述TFT(78)之构造系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜、形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73)、形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71)、用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72)、系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76')、以及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76");前述第1栉形像素电极部(104)之系形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外之基板部位;前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)之表面以保护膜(101)覆盖;前述第2栉形像素电极部(79)系形成在前述保护膜(101)上且在前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)之形成部位以外的基板部位。65.如申请专利范围第64项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述闸极电极金属氧化膜(72)系以阳极氧化法来氧化电极金属表面而成的阳极氧化膜。66.如申请专利范围第65项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第1栉形像素电极部(104)系以与包含源极区域上之矽半导体膜层之沉积构造相同的沉积构造所形成。67.如申请专利范围第66项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第2栉形像素电极部(103)系以与源极电极(76')同质之金属来构成。68.如申请专利范围第64、65、66或67项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述i型矽半导体膜层(3)系不混入不纯物之i型非晶矽膜层,前述不纯物矽半导体膜层(74)系混入n型不纯物之n型不纯物非晶矽膜层。69.一种植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,系具有TFT(78)及第1栉形像素电极部(104)及第2栉形像素电极部(103),前述TFT构造具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73);形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71);用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72);系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76');及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76");前述第1栉形像素电极部(104)之构成系具有形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外之基板部位;前述第2栉形像素电极部(103)系在覆盖包含前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)之基板表面之保护膜;及前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)所形成之部位以外的基板表面,且作为前述保护膜(101)上所形成之对向电极;而前述制造方法之特征系具有至少以下步骤:第1沉积步骤,系将于绝缘性基板(1)上不混入不纯物之i型矽半导体层导体膜层(3)、闸极绝缘膜层(4)、及闸极金属膜层(5)顺序沉积;第1光照蚀刻步骤,系以使用第1光阻图案(100)之光照蚀刻法,蚀刻前述闸极金属膜层(5)而形成闸极电极(71)及电性连接于此的闸极金属配线图案以及第1像素电极(71);金属氧化膜形成步骤,系氧化前述闸极电极(71)及闸极金属配线图案之表面,形成用以覆盖闸极电极(71)上面及侧面之闸极电极金属氧化膜(72),及形成用以覆盖闸极金属配线图案上面及侧面的闸极金属配线氧化膜;绝缘膜形成步骤,系以前述氧化膜为遮罩而蚀刻前述闸极绝缘膜层(4)以形成闸极绝缘膜(73);第2沉积步骤,系于前述闸极绝缘膜形成步骤之后,将混入不纯物之不纯物矽半导体层导体膜层(74)、连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)顺序沉积;第2光照蚀刻步骤,系以使用第2光阻图案(102)之光照蚀刻法,系将在前述第2沉积步骤所沉积之源极汲极金属膜层(76)及连接金属膜层(75)及混入不纯物之不纯物矽半导体层(74)及不混入不纯物之i型矽半导体层(3)予以顺序地蚀刻而形成TFT(78)及第1栉形像素电极部(104);保护膜堆积步骤,系于前述第2光照蚀刻步骤之后,堆积用以覆盖形成在基板表面之前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)表面的保护膜层(101);金属膜堆积步骤,系于前述保护膜层(101)上堆积第2栉形像素电极形成用的金属膜层;及第3光照蚀刻步骤,系于前述金属膜堆积步骤之后,以使用第3光阻图案(106)之光照蚀刻法来蚀刻前述金属膜层,形成作为对向电极之第2栉形像素电极(103)。70.如申请专利范围第69项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述金属氧化膜形成步骤中的氧化方法系阳极氧化法。71.如申请专利范围第70项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述i型矽半导体膜层(3)系不混入不纯物之i型非晶矽膜层,前述不纯物矽半导体膜层(74)系混入n型不纯物之n型不纯物非晶矽膜层。72.如申请专利范围第71项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1栉形像素电极部(104)系以与包含矽半导体膜层之汲极区域上之各层所构成之沉积构造相同的构造所形成。73.如申请专利范围第72项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2沉积步骤中,系将连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)以相同材料形成一层。74.如申请专利范围第73项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1沉积步骤中,于绝缘性基板(1)与矽半导体膜之间形成底涂层膜。75.一种植入开关方式之液晶显示装置,系于具有第1栉形像素电极部(104)、用以驱动前述第1栉形像素电极部之TFT(78)、至少形成在至少覆盖前述第1栉形像素电极部(104)及TFT(78)表面之矽保护膜上而作为对向电极的第2栉形像素电极部(103)的植入开关方式之TFT阵列基板的表面,进一步使形成液晶配向膜之第1基板及至少具有滤色器之第2基板,以像素电极及滤色器面作为内侧而对向,并于两基板之间隙封入液晶的构造,其特征在于:前述TFT(78)构造系具有堆积在绝缘性基板(1)上的矽半导体膜;形成在前述矽半导体膜之通道区域上的闸极绝缘膜(73);形成在前述闸极绝缘膜(73)上的闸极电极(71);用以覆盖前述闸极电极(71)之表面的闸极金属氧化膜(72);系于前述闸极金属氧化膜(72)上面而相互间离的电极,而用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少源极区域侧之侧面及源极区域的源极电极(76');及形成为用以覆盖前述闸极金属氧化膜(72)之至少汲极区域侧之侧面及汲极区域的汲极电极(76");前述第1栉形像素电极部(104)之构成系具有形成在前述TFT(78)之所形成之部位以外之基板部位而堆积在前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)之表面以保护膜(101)来覆盖;前述第2栉形像素电极部(79)系形成在前述保护膜(101)上且在前述TFT(78)及前述第1栉形像素电极部(104)之形成部位以外的基板部位。76.如申请专利范围第75项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述闸极电极金属氧化膜(72)及第1像素电极氧化膜(72')系以阳极氧化法来氧化电极金属表面而成的阳极氧化膜。77.如申请专利范围第75或76项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述第1栉形像素电极部(104)之构造系与包含源极区域上之矽半导体膜层之各层所构成之沉积构造相同。78.如申请专利范围第77项之植入开关方式之液晶显示装置,其中前述植入开关方式之TFT阵列基板表面与液晶配向膜之间介在着第2保护膜。79.如申请专利范围第11,12或13项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中至少将前述i型矽半导体膜层(3)、闸极绝缘层膜层(4)及闸极金属膜层(5)予以连续而形成。80.如申请专利范围第11,12,13或14项之上闸极型TFT阵列基板之制造方法,其中以相同材料且以一层来形成前述源极汲极金属膜层(10)及连接金属膜层(9)。81.如申请专利范围第25、26、27、28或29项之反射型TFT阵列基板,其中前述i型矽半导体膜系不混入不纯物之i型非晶矽膜,前述不纯物矽半导体膜系混入n型不纯物之n型非晶矽膜。82.如申请专利范围第28、29或30项之反射型TFT阵列基板,其中包含前述源极金属配线之源极配线沉积层系矽半导体膜及连接金属膜及源极金属膜顺序沉积之三层构造。83.如申请专利范围第34、35、36或37项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中系将前述源极汲极金属膜层(10)及连接电极(9)形成一层且以相同材质形成。84.如申请专利范围第34、35、36、37或38项之反射型TFT阵列基板之制造方法,其中于第1沉积步骤中,在绝缘性基板表面与矽半导体膜之间形成底涂层膜。85.如申请专利范围第46、47、48或49项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第2栉形像素电极部(80)系形成在TFT(78)及第1栉形像素电极部(79)之形成的基板部位以外的绝缘性基板(1)上,而至少系沉积与前述矽半导体膜同质之矽半导体膜之层,及与前述源极电极(76')同质之金属膜之层的构造。86.如申请专利范围第46、47、48、49或50项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述第2栉形像素电极部(80)系与包含源极区域上之矽半导体膜层之沉积构造相同的沉积构造来形成。87.如申请专利范围第46、47、48、49、50或51项之植入开关方式之TFT阵列基板,其中前述绝缘性基板(1)与前述矽半导体膜之间形成底涂层膜(2)。88.如申请专利范围第54或55项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2栉形像素电极部(80)系与包含矽半导体膜层1之源极区域上之各层所构成之沉积构造相同地形成。89.如申请专利范围第54、55或56项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2沉积步骤中,以相同材料且以一层来形成连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)。90.如申请专利范围第54、55、56或57项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1沉积步骤中,在绝缘性基板(1)与矽半导体膜之间形成底涂层膜。91.如申请专利范围第69、70或71项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第2沉积步骤中,系将连接金属膜层(75)及源极汲极金属膜层(76)以相同材料形成一层。92.如申请专利范围第69、70、71或72项之植入开关方式之TFT阵列基板之制造方法,其中前述第1沉积步骤中,于绝缘性基板(1)与矽半导体膜之间形成底涂层膜。图式简单说明:第1图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态1之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第2图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态1之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第3图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态1之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第4图系本发明之实施样态2之液晶显示装置的断面模式图。第5图(a)~(b)系用以说明本发明之实施样态3之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第6图系用以说明本发明之实施样态4之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第7图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态5之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第8图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态5之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第9图系本发明之实施样态5之植入开关方式之TFT阵列基板的平面模式图。第10图(a)~(c)系用以说明本发明之实施样态7之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第11图(a)~(b)系用以说明本发明之实施样态7之制造工程之TFT阵列基板的断面模式图。第12图系用以说明以保护膜作为遮罩而形成输出入端子之工程的平面模式图。 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