| 摘要 |
在具MIS电晶体，而要将杂讯抑制在低位准之前提下对所输入信号加以放大之低杂讯放大器中，上述MIS电晶体系包含：具作为其主面的第1晶面之半导体基板，形成在该半导体基板上并构成为其一部分，具由与上述第1晶面不同的第二晶面所修饰之一对侧壁面，和由与上述第2晶面不同的第3晶面所修饰的顶面所构成之半导体构造；以一样的厚度覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面上之闸极绝缘膜；使该闸极绝缘膜介于中间，以连续的覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面之闸极电极；及，形成在上述半导体基板中及上述半导体构造中，隔着上述闸极电极的一侧及另一侧，且，都沿着上述主面及上述侧壁面以及上述顶面，以连续的延伸之同一导电型扩散领域者。由此构成时，由低杂讯放大器所加上于输出信号的1／f杂讯和信号失真可大幅的减低，已不必再设置为了要减低或补偿这些所用之电路，而可使设备小型化。 |
