半导体记忆体装置,半导体装置及其等之制造方法,可携式电子设备及IC卡SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING THEM, PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT, AND IC CARD

摘要

本发明揭示一种包括记忆体单元的半导体记忆体装置，各记忆体单元包括：形成于一半导体基板上之一闸极绝缘膜；形成于该闸极绝缘膜上之一闸电极；位在该闸电极下之一通道区；配置在该通道区对侧上之一对源极区及汲极区，该源极区及汲极区的导电型与该通道区的相反；及分别位在该闸电极对侧上之记忆体功能单元，各记忆体功能单元包括：一电荷保留部分及一抗消耗绝缘体，该电荷保留部分由用于储存电荷之材料制成，该抗消耗绝缘体用于将电荷保留部分与该闸电极及该基板二者分开以防止该储存电荷的消耗，其中可调适该闸电极侧壁及该电荷保留部分彼此相对之一侧间的距离(T2)以与该电荷保留部分底部及该基板表面间的距离(T1)不同。