| 主权项 |
1.一种将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,包括有:一对平行设置之第一基底以及一第二基底;复数条横向延伸之扫描电极以及复数条直向延伸之资料电极,系定义形成于该第一基底上,且可定义形成复数个画素区域;一彩色层,系形成于该资料电极上;一绝缘层,系形成于该彩色层上,且包含有复数个第一凸块,其中每一画素区域内包含有至少一个第一凸块;以及复数个画素电极,系形成于该绝缘层以及该第一凸块之表面上,且覆盖该画素区域。2.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该第一凸块包含有一呈20-40倾斜之侧壁。3.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该第一凸块系制作成一三角形轮廓或梯形轮廓。4.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,另包含有:复数个黑色矩阵层,系定义形成于该第二基底上,其中每个画素区域内之该黑色矩阵层系作为一第二凸块;以及一共用电极,系定义形成于该黑色矩阵层上。5.如申请专利范围第4项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中每个画素区域内包含有至少两个第二凸块。6.如申请专利范围第4项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该第二凸块包含有一呈20-40倾斜之侧壁。7.如申请专利范围第4项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该第二凸块系制作成一三角形轮廓或梯形轮廓。8.如申请专利范围第4项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该黑色矩阵层系制作成一锯齿型延伸之图案。9.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,另包含有一具有负介电异方性的液晶层,系设置于该第一基底以及该第二基底之空隙内。10.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,另包含有一TFT结构,系形成于该第一基底之每一画素区域内。11.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该彩色层的厚度大于1m。12.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该绝缘层的厚度大于1m。13.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中于该绝缘层上制作该第一凸块之方法系采用缝隙制程。14.如申请专利范围第13项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中于该缝隙制程系使用一递减型光罩,其包含有至少三种不同透明度的区域。15.如申请专利范围第14项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中于该递减型光罩包含有一完全透明区域、一半透明区域以及一完全不透明区域。16.如申请专利范围第15项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中于该递减型光罩之半透明区域包含有复数个宽度0.5-1.5m、间隔0.5-1.5m的图型,其厚度为500-1000。17.如申请专利范围第15项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中于该递减型光罩之完全不透明区域系用来定义该绝缘层之第一凸块的图形。18.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该第一基底以及该第二基底系由不导电且透光之材料所构成。19.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该彩色层系由树脂材质所构成。20.如申请专利范围第1项所述之将彩色滤光片制作于TFT阵列基底之多重区块垂直配向之液晶显示器,其中该绝缘层系由有机材质所构成。图式简单说明:第1A图显示习知MVA-LCD元件的上视图。第1B图系沿第1A图之切线I-I显示习知MVA-LCD元件的剖面示意图。第2A图显示本发明MVA-LCD元件的上视图。第2B图系沿第2A图之切线II-II显示本发明MVA-LCD元件的剖面示意图。第3图系显示缝隙制程之剖面示意图。第4图显示本发明之黑色矩阵层之上视图。 |
