| 主权项 |
1.一种画素设计,该画素具有一储存电容区,该储存电容区包括:一透明基底;具有一第一穿孔的一第一金属层,形成于该透明基底上,其中该第一穿孔系露出该透明基底;一绝缘层,形成于该第一金属层与该透明基底上;一第二金属层,形成于该绝缘层上;具有一第二穿孔的一有机绝缘层,形成该第二金属层上,其中该第二穿孔系位于该第一穿孔之正上方;以及一透明电极,形成于该有机绝缘层上并延伸至该第二穿孔中;其中,当该第二金属层与该第二穿孔中的该透明电极未连接时,则藉由一第一雷射光穿越该第一穿孔,用以熔接该第二金属层与该第二穿孔中的该透明电极。2.如申请专利范围第1项所述之画素设计,更包括一薄膜电晶体形成于该透明基底上,其中该薄膜电晶体之一源/汲极系藉由该第二金属层而电性连接该透明电极。3.如申请专利范围第2项所述之画素设计,其中当该薄膜电晶体故障时,则藉由一第二雷射光烧断该第二金属层,而使该源/汲极不电性连接该透明电极。4.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该第一金属层与该第二金属层之材质系铝、铜、钽、钛或钼化钨合金。5.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该透明电极系一画素电极。6.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该透明电极之材质系铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。7.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该绝缘层之材质系氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。8.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该有机绝缘层之材质系聚合物(polymer)。9.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该有机绝缘层的厚度大于2.5m。10.如申请专利范围第1项所述之画素设计,更包括:一钝化层,形成于该第二金属层与该有机绝缘层之间。11.如申请专利范围第10项所述之画素设计,其中该钝化层之材质系氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiONx)。12.如申请专利范围第10项所述之画素设计,其中该钝化层的厚度系0.1 ~0.6m。13.如申请专利范围第1项所述之画素设计,其中该透明基底系一玻璃基底。14.一种修补画素的方法,包括下列步骤:形成一第一金属层于一透明基底上;形成一第一穿孔于该第一金属层中,该第一穿孔系露出该透明基底;形成一绝缘层覆盖该第一金属层与该透明基底;形成一第二金属层于该绝缘层上;形成一有机绝缘层覆盖该第二金属层;去除部分该有机绝缘层而形成一第二穿孔,该第二穿孔系位于该第一穿孔之正上方;形成一透明电极于该有机绝缘层上并延伸至该第二穿孔中;以及提供一第一雷射光穿越该第一穿孔,而熔接该第二金属层与该第二穿孔中的该透明电极。15.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,更包括下列步骤:形成一薄膜电晶体于该透明基底上,其中该薄膜电晶体之一源/汲极系藉由该第二金属层而电性连接该透明电极。16.如申请专利范围第15项所述之修补画素的方法,其中当该薄膜电晶体故障时,则藉由一第二雷射光烧断该第二金属层,而使该源/汲极不电性连接该透明电极。17.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该第一金属层与该第二金属层之材质系铝、铜、钽、钛或钼化钨合金。18.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该透明电极系一画素电极。19.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该透明电极之材质系铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。20.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该绝缘层之材质系氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。21.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该有机绝缘层之材质系聚合物(polymer)。22.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该有机绝缘层的厚度大于2.5m。23.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,更包括下列步骤:形成一钝化层于该第二金属层与该有机绝缘层之间。24.如申请专利范围第23项所述之修补画素的方法,其中该钝化层之材质系氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiONx)。25.如申请专利范围第23项所述之修补画素的方法,其中该钝化层的厚度系0.1~0.6m。26.如申请专利范围第14项所述之修补画素的方法,其中该透明基底系一玻璃基底。27.一种修补画素的方法,适用于修补横向电场型液晶显示(IPS-LCD)装置中的画素,包括下列步骤:形成包含一闸极的一闸极线(gate line)与一共通线(common line)于一透明基底上,其中该闸极线与该共通线系互相平行;形成一第一穿孔于该共通线中,该第一穿孔系露出该透明基底;形成一闸极绝缘层覆盖该闸极线、该共通线与该透明基底;形成一半导体岛于部分该闸极绝缘层上;形成一源/汲极于部分该半导体岛上而构成一薄膜电晶体(TFT)结构,且该源/汲极更延伸至位在该共通线上的部分闸极绝缘层上;形成一有机绝缘层于整个该透明基底上方,而覆盖该TFT结构与该源/汲极;去除部分该有机绝缘层而形成一第二穿孔,该第二穿孔位于该第一穿孔之正上方;形成一画素电极于该有机绝缘层上并延伸至该第二穿孔中;以及提供一第一雷射光穿越该第一穿孔,而熔接该源/汲极与该第二穿孔中的该画素电极。28.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该透明基底系一玻璃基底。29.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该闸极线与该共通线系由同一步骤形成,而其材质系铝、铜、钽、钛或钼化钨合金。30.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该源/汲极之材质系铝、铜、钽、钛或钼化钨合金。31.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该画素电极之材质系铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。32.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该闸极绝缘层之材质系氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。33.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中该有机绝缘层之材质系聚合物(polymer)。34.如申请专利范围第33项所述之修补画素的方法,其中该有机绝缘层的厚度大于2.5m。35.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,更包括下列步骤:形成一钝化层于该源/汲极与该有机绝缘层之间。36.如申请专利范围第35项所述之修补画素的方法,其中该钝化层之材质系氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiONx)。37.如申请专利范围第35项所述之修补画素的方法,其中该钝化层的厚度系0.1~0.6m。38.如申请专利范围第27项所述之修补画素的方法,其中当该薄膜电晶体结构故障时,则藉由一第二雷射光烧断位于该闸极线与该共通线之间的该源/汲极,而使该源/汲极不电性连接该画素电极。图式简单说明:第1图系显示根据本发明实施例之IPS-LCD装置之一画素的上视图;第2A与2B图系显示沿着第1图中的2-2断线之剖面图,其中第2A图系显示根据本发明一方法而修复画素缺陷之示意图,而第2B图系显示根据本发明另一方法而修复画素缺陷之示意图;以及第3图系显示根据本发明第2A图所示之方法而修复画素缺陷之示意图。 |
