集成电路、存储单元及制造方法、存储单元的程序化方法

摘要

一种可电程序非挥发性存储单元，此存储单元包括第一电极、第二电极以及在两电极间的一材料层(如超薄氧化硅)，其特征在于此材料层对应相对低电压的程序化应力，其电阻具有累进改变的特性。通过施加应力于两电极之间的材料层以建立表示储存数据的可程序电阻。此种存储器适用于在单一存储单元中储存多位的数据及/或适用于可程序化多次而不需抹除操作。

主权项

1.一种集成电路，其特征是，包括：一存储单元阵列，该存储单元阵列的各存储单元包括一第一电极、一第二电极与一电极间材料层，该电极间材料层设置于该第一电极与该第二电极之间，且该电极间材料层具有随一应力而累进改变的一特性；一用以程序化该些存储单元的一逻辑电路，通过产生该应力而程序化该存储单元阵列中的该些存储单元；以及一感测电路，感测该存储单元阵列中之该些存储单元在该特性上的累进改变量。