| 发明名称 | 引线框架及其制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 在半导体器件中，由铜合金构成的引线框架防止在引线框架表面附近发生层离。通过将基体材料浸入强氧化剂溶液中，在基体材料上形成氧化铜层。该氧化铜层用作最外层，而且由非针状结晶体形式的氧化铜构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1581473A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN03127557.5 | 申请日期 | 2003.08.07 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 百合野孝弘 |
| 分类号 | H01L23/495;H01L21/48;H01L21/60;H05K3/00 | 主分类号 | H01L23/495 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1.一种引线框架，该引线框架包括：由铜合金构成的基体材料；以及通过使引线框架接触强氧化剂溶液形成的氧化铜层，该氧化铜层用作最外层，并由非针状结晶体形式的氧化铜构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||