瓶状沟槽形成方法

摘要

揭示一种瓶状沟槽形成方法。本发明之方法包含步骤有提供一基底；于基底上形成复数个工作层；于工作层上形成光阻剂以界定一预定位置；根据预定位置形成一沟槽；将预定之离子植入沟槽之上部侧壁，所植入离子系可使沟槽侧壁的氧化率减低；使沟槽侧壁氧化以形成氧化层，沟槽侧壁有植入该离子之部分所形成的氧化层部分较薄，而无植入该离子之部分所形成的氧化层部分较厚；以及移除氧化层以形成瓶状沟槽。。

主权项

1.一种瓶状沟槽形成方法,包含步骤有:提供一基底;于该基底上形成复数个工作层;于该等工作层上形成光阻剂以界定一预定位置;根据该预定位置形成一沟槽;将预定之材料粒子植入该沟槽之上部侧壁,该材料粒子系可使沟槽侧壁的氧化率减低;使该沟槽侧壁氧化以形成氧化层,沟槽侧壁有植入该材料粒子之部分所形成的氧化层部分较薄,而无植入该材料粒子之部分所形成的氧化层部分较厚;以及移除该氧化层以形成瓶状沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料粒子系利用斜角布植法布植。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料粒子为氮离子。图式简单说明:图1a至图1h系显示根据本发明之实施例的瓶状沟槽形成方法。