磁随机存取存储器件

摘要

磁随机存取存储器(“MRAM”)器件(100)包括存储器单元(104)的阵列(102)。尽管由于制造公差和诸如阵列中的温度梯度、电磁干扰和老化之类的其他因素造成电阻的变化，但器件(100)仍然产生能够用来判断阵列中每个存储器单元的电阻态的参考信号。

主权项

1.一种存储器件(100)，包含：存储器单元(104)组成的块(102)；用来存储逻辑‘1’的第一存储器件(110)；用来存储逻辑‘0’的第二存储器件(112)；用来产生一个参考信号(Vref)的产生电路(126)，所述产生电路与所述块、所述第一存储器件和第二存储器件相连，借助于组合第一和第二存储器件的输出而产生所述参考信号，所述参考信号用于确定存储在所述块中的存储器单元中存储的逻辑值。