发明名称 相变光学记录媒体
摘要 一种可重写型光学信息记录媒体及其记录方法,其包含基板及形成在该基板上的相变层,该相变层的组分范围以Ge<SUB>x</SUB>Sb<SUB>y</SUB>M<SUB>z</SUB>来表示,其中x=5~25原子百分比(at.%),y=70~90原子百分比(at.%),z=2~25原子百分比(at.%),x+y+z=100,其中M择自下列元素所组成的族群:B、O、N、P、Bi、In、Ga、Sn、Pb、Si、Ag、Au、Ti、Zr、Cr、Ni、Hf、V、Nb、Ta、Mn、W、Mo和Ce。相变层具有较低的结晶温度,因此在以激光束进行擦除时,可减少该相变层由非晶态结构转换为结晶态结构的时间,从而提高其结晶速度,可作为新式可重写型光学信息记录媒体的相变层,并可应用于高倍速可重写型光学信息记录媒体。
申请公布号 CN1577546A 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN03152302.1 申请日期 2003.07.28
申请人 铼德科技股份有限公司 发明人 陈种发;钟利群
分类号 G11B7/24;G11B7/004 主分类号 G11B7/24
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 潘培坤;楼仙英
主权项 1.一种可重写型光学信息记录媒体,包含:基板及形成在该基板上的相变层,该相变层的组分范围以GexSbyMz来表示,其中x=5~25原子百分比(at.%),y=70~90原子百分比(at.%),z=2~25原子百分比(at.%),x+y+z=100;其中M择自下列元素所组成的族群:B、O、N、P、Bi、In、Ga、Sn、Pb、Si、Ag、Au、Ti、Zr、Cr、Ni、Hf、V、Nb、Ta、Mn、W、Mo和Ce。
地址 台湾省新竹县