| 发明名称 | 自集成芯片读出缺陷信息项之方法及集成存储芯片 | ||
| 摘要 | 本发明系关于一种集成存储芯片读出缺陷信息之方法，具若干字线的字线组可由冗余字线组取代及/或位线可由冗余位线取代，以取代缺陷存储单元；测试数据被写至该存储芯片的存储单元以进行测试该存储单元的目的；该写入数据被读出及与先前写入测试数据比产生第一缺陷信息项；若该写入测试数据及该读出测试数据不同，则该第一缺陷信息项显示缺陷；沿该位线的其一的存储单元被连续地读出；该第一缺陷信息项在该存储单元测试期间被缓冲储存于该字线组；第二缺陷信息项被产生，若至少一该第一缺陷信息项显示缺陷，则该第二缺陷信息项显示缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1577633A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410069825.5 | 申请日期 | 2004.07.09 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | P·比尔 |
| 分类号 | G11C29/00 | 主分类号 | G11C29/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种自具排列于字线(3)及位线(4)的动态存储单元之集成存储芯片读出缺陷信息之方法，具若干字线(3)的字线组可由冗余字线组取代及/或位线可由冗余位线取代，以取代缺陷存储单元，测试数据被写至该存储芯片的存储单元以进行测试该存储单元(2)的目的，该写入数据被读出及与先前写入数据比较以依据比较结果产生第一缺陷信息项，若该写入测试数据及该读出测试数据不同，则该第一缺陷信息项显示缺陷，其中沿该位线(4)其一的存储单元(2)被连续地读出，在每一情况，该第一缺陷信息项对每一该读取存储单元(2)产生，该第一缺陷信息项在该存储单元测试期间被缓冲储存于该字线组，第二缺陷信息项被产生，若至少一该第一缺陷信息项显示缺陷，则该第二缺陷信息项显示缺陷，该第二缺陷信息项在沿该位线(4)的该字线组的该存储单元(2)之读取结束后被输出。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||