有部分或全包围栅电极的非平面半导体器件及其制造方法

摘要

本发明描述了非平面半导体器件及其制造方法。非平面半导体器件包括具有顶表面的半导体主体，顶表面与形成在绝缘衬底之上的底表面相对，其中半导体主体具有一对横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上、在半导体主体的横向相对的侧壁上以及在半导体主体的底表面的至少一部分上形成栅极电介质。在半导体主体顶表面上的栅极电介质上、与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极电介质邻接、以及在半导体主体的底表面上的栅极电介质的下方形成栅电极。在栅电极的相对两侧的半导体主体中形成一对源/漏区域。

主权项

1.一种非平面半导体器件，包括：半导体主体，所述半导体主体具有顶表面，所述顶表面与形成在绝缘衬底之上的底表面相对，其中所述半导体主体具有一对横向相对的侧壁；栅极电介质，在所述半导体主体的所述顶表面上、在所述半导体主体的所述底表面上以及在所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上形成所述栅极电介质；栅电极，在所述半导体主体的所述顶表面上的所述栅极电介质上、与所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上的所述栅极电介质邻接、以及在所述半导体主体的所述底表面上的所述栅极电介质的下方形成所述栅电极；和一对源/漏区域，所述一对源/漏区域形成在所述栅电极的相对两侧的所述半导体主体中。