发明名称 |
薄膜晶体管、有源矩阵基板、显示装置和电子设备 |
摘要 |
本发明提供截止电流降低到非常低的水平并且具有优异的可靠性从而可以适用于超高精细显示装置的像素驱动元件和周边电路等的薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置。具有在基板主体(10a)上设置的半导体层(42)、栅电极(32)、漏电极(17)和源电极(16),半导体层(42)具有与漏电极(17)连接的以高浓度扩散杂质的高浓度漏极区域(1e)、设置在上述高浓度漏极区域(1e)的栅电极(32)侧的以低浓度扩散杂质的低浓度漏极区域(1c)、设置在上述低浓度漏极区域(1c)的栅电极(32)侧的以微量浓度扩散杂质的区域或做成本征半导体区域的补偿区域(1a2)。 |
申请公布号 |
CN1577893A |
申请公布日期 |
2005.02.09 |
申请号 |
CN200410069084.0 |
申请日期 |
2004.07.16 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
小出慎 |
分类号 |
H01L29/78;H01L29/786;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
李峥;于静 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管,具有:设置在绝缘基板上的半导体层、栅电极、与上述半导体层连接的漏电极和源电极,其特征在于:上述半导体层,具有:与上述漏电极连接的、以高浓度扩散杂质的高浓度杂质区域;设置在上述高浓度杂质区域的栅电极侧的、以低浓度扩散杂质的低浓度杂质区域;以及设置在上述低浓度杂质区域的栅电极侧的、以微量浓度扩散杂质的区域或被设为本征半导体区域的补偿区域。 |
地址 |
日本东京都 |