| 发明名称 | 高纯度烷基镓的制备 | ||
| 摘要 | 在其沸点比三烷基镓的沸点至少高10℃的溶剂如均三甲苯或邻二氯苯中，通过卤化镓或烷基镓和三烷基铝反应制备三烷基镓。以高产率得到高纯度的烷基镓。 | ||
| 申请公布号 | CN1572902A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410055074.1 | 申请日期 | 2004.06.18 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 本间孝之;津寺贵信;西脇宽实;田中秀二 |
| 分类号 | C23C16/18 | 主分类号 | C23C16/18 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.制备烷基镓的方法，包括使式(1)的化合物和式(2)的化合物反应形成式(3)的烷基镓的步骤， R13-mGaXm-3 (1)其中R1是一价烃基，X是卤素原子，m是0-3的整数， R23Al (2)其中R2是具有1-2个碳原子的烷基， GaR23 (3)其中R2定义如上。其特征在于，用由式(4)表示的沸点比式(3)的烷基镓的沸点至少高10℃的化合物作为溶剂： R3nAr (4)其中R3在各种情况下独立地是氢、甲基、取代或未取代的具有6-16个碳原子的芳基或亲电子取代基，Ar是取代或未取代的具有6-16个碳原子的芳基，n是1-14的整数，前提是当全部R3是甲基时，n是2-6的整数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||