| 发明名称 |
METHODS FOR FORMING LOW RESISTIVITY, ULTRASHALLOW JUNCTIONS WITH LOW DAMAGE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1502294(A2) |
申请公布日期 |
2005.02.02 |
| 申请号 |
EP20030741784 |
申请日期 |
2003.05.08 |
| 申请人 |
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES INC. |
发明人 |
DOWNEY, DANIEL, F. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/268;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
