| 主权项 |
1.一种磊晶矽单晶晶圆,其系磊晶矽单晶晶圆,其特征系在掺杂电阻系数10mcm以上100mcm以下之硼之矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层者,该掺杂硼之矽单晶晶圆系将利用CZ法掺杂氮成长之矽单晶棒,经薄切所得者,该掺杂硼之矽单晶晶圆之氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为16ppma以下。2.如申请专利范围第1项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂硼之矽单晶晶圆系施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理者。3.如申请专利范围第1项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂硼之矽单晶晶圆之析出热处理后之氧析出物或氧化诱导层合缺陷密度为1109个/cm3以上。4.如申请专利范围第1项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂硼之矽单晶晶圆系由利用CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度成长之矽单晶棒所得者。5.一种磊晶矽单晶晶圆,其系磊晶矽单晶晶圆,其特征系在掺杂锑之矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层者,该掺杂锑之矽单晶晶圆系将利用CZ法掺杂氮成长之矽单晶棒,经薄切所得者,该掺杂锑之矽单晶晶圆之氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为20ppma以下。6.如申请专利范围第5项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂锑之矽单晶晶圆系被施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理者。7.如申请专利范围第5项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂锑之矽单晶晶圆之晶圆表面之结晶缺陷的密度为0.1个/cm2以下。8.如申请专利范围第5项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂锑之矽单晶晶圆系由利用CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度成长之矽单晶棒所得者。9.一种磊晶矽单晶晶圆,其系磊晶矽单晶晶圆,其特征系在掺杂磷之矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层者,该掺杂磷之矽单晶晶圆系将利用CZ法掺杂氮成长之矽单晶棒,经薄切所得者,该掺杂磷之矽单晶晶圆之氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为18ppma以下。10.如申请专利范围第9项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂磷之矽单晶晶圆系被施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理者。11.如申请专利范围第9项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂磷之矽单晶晶圆之析出热处理后之氧析出物或氧化诱导层合缺陷密度为1109个/cm3以上。12.如申请专利范围第9项之磊晶矽单晶晶圆,其中该掺杂磷之矽单晶晶圆系由利用CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度成长之矽单晶棒所得者。13.一种磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其特征系利用CZ法同时掺杂硼及氮,使长成电阻系数10mcm以上100mcm以下,氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为16ppma以下之矽单晶棒,该矽单晶棒经薄切并加工成电阻系数10mcm以上100mcm以下之矽单晶晶圆,该矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层。14.如申请专利范围第13项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中对于该矽单晶晶圆施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理后,形成磊晶层。15.如申请专利范围第13项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中藉由CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度,使该矽单晶晶圆成长。16.一种磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其系磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其特征系利用CZ法同时掺杂锑及氮,长成氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为20ppma以下之矽单晶棒,该矽单晶棒经薄切并加工成矽单晶晶圆,该矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层。17.如申请专利范围第16项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中对于该矽单晶晶圆施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理后,形成磊晶层。18.如申请专利范围第16项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中藉由CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度,使该矽单晶晶圆成长。19.一种磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其系磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其特征系利用CZ法同时掺杂磷及氮,长成氮浓度为11010~51015atoms/cm3,氧浓度为18ppma以下之矽单晶棒,该矽单晶棒经薄切并加工成矽单晶晶圆,该矽单晶晶圆之表层部形成磊晶层。20.如申请专利范围第19项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中对于该矽单晶晶圆施加900℃~矽之熔点以下之温度的热处理后,形成磊晶层。21.如申请专利范围第19项之磊晶矽单晶晶圆之制造方法,其中藉由CZ法以1.0mm/min以上之提拉速度,使该矽单晶晶圆成长。图式简单说明:第1图为于实施例1、比较例1,使氧析出物析出的热处理之后,显示利用OPP法之晶圆的氧析出物缺陷密度之测定结果的结果图。第2图为于实施例2、比较例2,显示利用粒子计数器测定磊晶成长前后的晶圆表面之结晶缺陷密度的测定结果之结果图。第3图为于实施例1、比较例1,使氧析出物析出的热处理之后,显示利用OPP法之晶圆的氧析出物缺陷密度之测定结果的结果图。第4图为于实施例3、比较例3,显示利用OPP法之晶圆的氧析出物缺陷密度之测定结果的结果图。 |
