Flüssigkristallanzeigevorrichtung, welche Dünnschichttransistoren mit polykristallinem Silizium aufweist, und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen eines Matrixsubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung weist folgende Schritte auf: Ausbilden einer Ausrichtungshilfsstruktur auf einem Substrat, welches einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich aufweist, wobei der Nichtanzeigebereich den Anzeigebereich umgibt; Ausbilden einer amorphen Siliziumschicht auf der Ausrichtungshilfsstruktur; Kristallisieren eines vorbestimmten Abschnitts der amorphen Siliziumschicht unter Verwendung der Ausrichtungshilfsstruktur als Referenz; Strukturieren der amorphen Siliziumschicht unter Verwendung der Ausrichtungshilfsstruktur als Referenz, so dass eine polykristalline Siliziumschicht ausgebildet wird, wobei die polykristalline Siliziumschicht aus dem vorbestimmten Abschnitt der amorphen Siliziumschicht gebildet wird; Ausbilden einer Gateisolationsschicht auf der polykristallinen Siliziumschicht; Ausbilden einer Gateelektrode auf der Gateisolationsschicht unter Verwendung der Ausrichtungshilfsstruktur als Referenz; Ausbilden einer Zwischenlagen-Isolationsschicht auf der Gateelektrode und Ausbilden einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode auf der Zwischenlagen-Isolationsschicht.