发明名称 FERROELECTRIC MEMORY DEVICE TO AVOID LOSS OF INFORMATION CAUSED BY ONE PLATE LINE SHARED BY TWO WORDLINES AND PREVENT OPERATION SPEED FROM BEING REDUCED BY RC DELAY
摘要
申请公布号 KR100470163(B1) 申请公布日期 2005.01.26
申请号 KR19970045972 申请日期 1997.09.05
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LEE, CHANG GU
分类号 H01L27/10;H01L27/105;(IPC1-7):H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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