| 主权项 |
1.一种有机发光显示装置(Organic Light-Emitting Display, OLED),设置有复数个有机发光显示单元,每一有机发 光显示单元至少包括: 一基板(substrate); 一薄膜电晶体(Thin Film Transistor,TFT),设置于该基板 上; 一阳极(anode),设置于该薄膜电晶体以及该基板上; 一有机发光结构,设置于该阳极上; 一阴极(cathode),设置于该有机发光结构上;以及 一滙流排线(bus line),与该阴极电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该有机发光结构至少包括一电子传输层、一 有机发光层以及一电洞传输层。 3.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该阴极包括一薄膜金属层。 4.如申请专利范围第3项所述之有机发光显示装置, 其中该阴极更包括一铟锡氧化物层(indium tin oxide, ITO)。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该阴极系一铟锡氧化物层。 6.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该滙流排线系一厚金属层。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该滙流排线之厚度系介于1000埃()和2微米( m)之间。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该滙流排线系由低电阻値之金属组成。 9.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置, 其中该滙流排线含铝。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置 ,其中该滙流排线含银。 11.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置 ,其中该有机发光显示装置系一底发光(bottom emission)之有机显示装置,该有机发光结构所产生的 光系穿透该阳极以及该基板。 12.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置 ,其中该有机发光显示单元更包括一反射层,该反 射层系设置于该薄膜电晶体与该基板之间,使得该 有机发光结构所产生的光系自该反射层反射并穿 透该阴极,该有机发光显示装置系一顶发光(top emission)之有机显示装置。 13.如申请专利范围第12项所述之有机发光显示装 置,其中该薄膜电晶体遮蔽部分之反射层形成一遮 蔽区,该滙流排线设置于相对该薄膜电晶体之该遮 蔽区。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示装置 ,其中该滙流排线系形成于该有机发光结构以及该 阴极之侧面,并且位于相邻之二个有机发光单元之 间,形成一黑色矩阵(black matrix)。 15.一种有机发光显示单元之制造方法,包括步骤: 提供一基板; 形成一阳极于该基板上; 形成一有机发光结构于该阳极上; 形成一阴极于该有机发光结构上;以及 形成一滙流排线于该阴极上。 16.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,在提供该基板的步骤中更包括: 形成一保护层用以覆盖该基板;以及 形成一薄膜电晶体元件于该保护层上。 17.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,在提供该基板的步骤中更包括: 形成一反射层于该基板上; 形成一保护层于该反射层上;以及 形成一薄膜电晶体于该保护层上。 18.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极包括一薄金属层,使得 光线得以穿透该金属层显示出来。 19.如申请专利范围第18项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极更包括一铟锡氧化物层 (indium tin oxide,ITO)。 20.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极系一铟锡氧化物层。 21.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线系一厚金属层。 22.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线之厚度系介于1000 埃()和2微米(m)之间。 23.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线由低电阻値之金属 组成。 24.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线含铝。 25.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中,该滙流排线含银。 26.一种有机发光显示单元之制造方法,包括: 提供一基板; 形成一薄膜电晶体于该基板上; 形成一阳极于该基板以及该薄膜电晶体上; 形成一保护层用以覆盖于该阳极上; 形成一滙流排线于该保护层上,该滙流排线位于该 阳极之侧面; 形成一有机发光结构于该保护层上;以及 形成一阴极于该有机发光结构上,该阴极系与该滙 流排线电性连接。 27.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,在提供该基板之步骤中更包括形成 一反射层于该基板上之步骤,使得该有机发光结构 所发出的光系反射自该反射层。 28.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极包括一薄金属层,使得 该有机发光结构所发出的光得以穿透该金属层显 示出来。 29.如申请专利范围第28项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极更包括一铟锡氧化物层 (indium tin oxide,ITO)。 30.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该阴极系一铟锡氧化物层。 31.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线系一厚金属层。 32.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线之厚度系介于1000 埃()和2微米(m)之间。 33.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线由低电阻値之金属 组成。 34.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中该滙流排线含铝。 35.如申请专利范围第26项所述之有机发光显示单 元之制造方法,其中,该滙流排线含银。 图式简单说明: 第1图绘示乃依照传统底发光型有机发光显示装置 之示意图。 第2图绘示依照本发明实施例一的一种有机发光显 示单元之侧视图。 第3图绘示依照本发明实施例二的一种有机发光显 示单元之侧视图。 |
