发明名称 可测试被动元件电性之晶片承载件及其测试方法
摘要 一种可测试被动元件电性的晶片承载件,系包括布设有多数导电迹线之芯层;至少一预定接置被动元件于其中的第一导电迹线,其两端部系可分别连接至位于该晶片承载件一表面的第一焊线垫与位于另一相对表面的第一焊球垫,且该第一导电迹线上系具有一与该第一焊线垫位于该波动元件预定接置位置之同侧的第一预定位置;至少一未预定接置被动元件的第二导电迹线,系具有与该第一预定位置位于同一表面的第二预定位置,且系可连接至与该第一焊球垫位于同一表面的第二焊球垫;以及敷覆于该多数导电迹线上且形成多数个开口而至少外露出该第一、第二预定位置的拒焊剂层;因此,该测试方法即系以一导电性治具连接该外露出拒焊剂层的第一、第二预定位置,以利用其短路连接关系而可直接以位于同一表面的第一焊球垫与第二焊球垫为该被动元件之测试端,完成一快速且无需改变晶片承载件设计的电性测试方法。
申请公布号 TWI227099 申请公布日期 2005.01.21
申请号 TW092107226 申请日期 2003.03.31
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 陈建德;黄建屏
分类号 H05K1/00;G01R31/26 主分类号 H05K1/00
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种可测试被动元件电性的晶片承载件,其表面 系接置有至少一被动元件,系包括: 芯层,其表面系用以布设多数导电迹线; 至少一预定接置被动元件于其中的第一导电迹线, 系具有一第一预定位置与两端部,该两端部系可分 别连接至位于该晶片承载件一表面的第一焊线垫 与位于另一相对表面的第一焊球垫,并令该第一预 定位置与该第一焊线垫于该被动元件接置后位于 其同一侧; 至少一未预定接置被动元件的第二导电迹线,系具 有两端部以及与该第一预定位置位于同一表面的 第二预定位置,其中一端部系可连接至与该第一焊 球垫位于同一表面的第二焊球垫;以及 拒焊剂层,系敷覆于该多数导电迹线上,且系形成 多数个开口以至少外露出该第一预定位置与第二 预定位置。 2.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该被 动元件系为一电阻元件。 3.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该被 动元件系为一电感元件。 4.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该第 一预定位置与第二预定位置上系至少形成有一镍 金层(Ni/Au)。 5.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该晶 片承载件系为一基板。 6.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该被 动元件系以表面黏着技术(SMT)串接于该第一导电 迹线上。 7.如申请专利范围第1项之晶片承载件,其中,该芯 层系选自由FR4树脂、玻璃树脂、BT树脂、环氧树 脂、聚乙醯胺及氰脂所组成之组群之一者。 8.一种可测试被动元件电性的测试方法,系运用于 一晶片承载件,该晶片承载件之芯层上系布设有多 数导电迹线,而该导电迹线中系至少包括一预定接 置被动元件于其中的第一导电迹线,该方法系包括 下列步骤: 于该第一导电迹线上选定一第一预定位置,而该第 一导电迹线之两端部系可分别连接至位于该晶片 承载件一表面的第一焊线垫与另一相对表面的第 一焊球垫,并令该第一预定位置与该第一焊线垫于 该被动元件接置后位于其同一侧; 选定一未预定接置被动元件的第二导电迹线及其 上之第二预定位置,而该第二导电迹线之其中一端 部系可连接至与该第一焊球垫位于同一表面的第 二焊球垫; 于该多数导电迹线上敷覆一拒焊剂层,该拒焊剂层 系形成多数个开口以至少外露出该第一预定位置 与第二预定位置; 于该第一导电迹线上接置该被动元件; 以一导电材料连接该外露出拒焊剂层的第一预定 位置与第二预定位置;以及 以两电性测试端接触位于该晶片承载件同一表面 的第一焊球垫与第二焊球垫,进行该被动元件之电 性测试。 9.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该导电 材料系为一导电橡胶所形成之导电性治具。 10.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该导电 材料系为一导电金属块所形成之导电性治具。 11.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该被动 元件系为一电阻元件。 12.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该被动 元件系为一电感元件。 13.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该第一 预定位置与第二预定位置上系至少形成有一镍金 层(Ni/Au)。 14.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该晶片 承载件系为一基板。 15.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该被动 元件系以表面黏着技术(SMT)串接于该第一导电迹 线上。 16.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该芯层 系选自由FR4树脂、玻璃树脂、BT树脂、环氧树脂 、聚乙醯胺及氰脂所组成之组群之一者。 17.如申请专利范围第8项之测试方法,其中,该电性 测试端系为一测试系统之测试探针(Probe)。 图式简单说明: 第1图系本发明之晶片承载件较佳实施例之上视图 ; 第2图系本发明之晶片承载件较佳实施例之侧视图 ; 第3图系为以一导电性治具接触本发明之晶片承载 件之示意图; 第4图系本发明之晶片承载件进行电性测试之示意 图; 第5A至5F图系本发明之电性测试方法之示意流程图 ; 第6A图系习知上接置有一电容之晶片承载件上视 图; 第6B图系习知上接置有一电容之晶片承载件之测 试示意图; 第7A图系习知上接置有电阻或电感之晶片承载件 上视图; 第7B图系习知上接置有电阻或电感之晶片承载件 侧视图;以及 第8图系习知上接置有电阻或电感之晶片承载件之 测试示意图。
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