发明名称 化学机械研磨垫
摘要 一种化学机械研磨垫,此研磨垫用来研磨之一面的部位有一研磨区,此研磨区系制作成表面高度由中心至边缘渐减的形状,以在执行化学机械研磨制程中,增加晶圆各部份之研磨移除速度之均匀度,而能减少研磨过程中之边缘磨耗现象,亦即提升被研磨材料的表面平坦度,以提升晶圆研磨后的良率;而研磨区外围具有一凹陷沟渠,其可减少研磨剂之损耗,并降低研磨剂之使用成本。
申请公布号 TW498013 申请公布日期 2002.08.11
申请号 TW089121894 申请日期 2000.10.19
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 曾守智;李宗翰
分类号 B24B7/24;B24B37/04;H01L21/304 主分类号 B24B7/24
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种化学机械研磨垫,适用于一化学研磨制程,该 研磨垫之一研磨面包括: 一研磨区,该研磨区位于该研磨面的中央部位,且 该研磨区之表面高度由中心向边缘渐减,而该研磨 区表面之高度高于一研磨基准面,其中该研磨基准 面系指研磨时该研磨垫与一晶圆接触所形成的一 水平面;以及 一凹陷沟渠,该凹陷沟渠位于研磨区之外围,且该 凹陷沟渠为一低于该研磨基准面的环状凹陷区域 。2.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨垫, 其中该研磨区之底部的边缘与该研磨基准面齐平 。3.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨垫, 其中该研磨面之边缘与该研磨基准面齐平。4.如 申请专利范围第1项所述之化学机械研磨垫,其中 该研磨区之上表面的形状为圆弧状。5.如申请专 利范围第1项所述之化学机械研磨垫,其中该研磨 区之最高点为该研磨垫之该研磨面的最高点。6. 如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨垫,其 中该凹陷沟渠之最低点为该研磨垫之该研磨面的 最低点。图式简单说明: 第1图绘示依据本发明较佳实施例所得之一种化学 机械研磨垫结构示意图。 第2图绘示依据本发明较佳实施例所得之化学机械 研磨垫之使用情形示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行二路三号