发明名称 | 分离闸极快闪记忆胞及其制造方法 | ||
摘要 | 一种分离闸极快闪记忆胞,系由具有元件隔离结构之基底;设置于基底上之选择闸极结构;设置于基底上的具有开口之层间介电层,此开口暴露部分选择闸极结构、基底与元件隔离结构;设置于开口中,且部分延伸至层间介电层表面之浮置闸极;设置于浮置闸极与基底之间的穿隧介电层;设置于该开口中,填满开口并延伸至选择闸极结构上方之控制闸极;设置于浮置闸极与控制闸极之间的闸间介电层;设置于控制闸极未与选择闸极结构相邻之一侧的基底中之源极区与设置于选择闸极未与控制闸极相邻之一侧的基底中的汲极区所构成。 | ||
申请公布号 | TW200503190 | 申请公布日期 | 2005.01.16 |
申请号 | TW092118832 | 申请日期 | 2003.07.10 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 吴陞;黄财煜 |
分类号 | H01L21/8247 | 主分类号 | H01L21/8247 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路十二号 |