| 发明名称 |
A METHOD OF FABRICATING SILICON ON INSULATOR TRANSISTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100466978(B1) |
申请公布日期 |
2005.01.10 |
| 申请号 |
KR19970071285 |
申请日期 |
1997.12.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, IL GWON |
| 分类号 |
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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